주문 금액이
$5000
vishay SI2305CDS-T1-GE3
Ideal for Amplification and Switching Applications
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI2305CDS-T1-GE3
데이터 시트: SI2305CDS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-23-3
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*모든 가격은 USD 단위입니다.
수량 | 단가 | 추가 가격 |
---|---|---|
5 | $0.085 | $0.425 |
50 | $0.074 | $3.700 |
150 | $0.069 | $10.350 |
500 | $0.062 | $31.000 |
3000 | $0.059 | $177.000 |
6000 | $0.057 | $342.000 |
재고: 9,458 PCS
SI2305CDS-T1-GE3 일반적인 설명
The SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET stands out for its impressive performance characteristics, including a continuous drain current of -5.8A and a drain-source voltage of -8V. With an on resistance of 28mohm and a maximum power dissipation of 960mW, this P-channel transistor operates reliably in temperatures ranging from -55°C to +150°C. The SOT-23 package style, with 3 pins, offers a compact and efficient design for a wide range of applications. Despite not containing any SVHC, this transistor can handle a maximum voltage of 8V, making it suitable for demanding circuit requirements
![](/files/uploads/product/b/cb431b5a-228c-409e-b301-9807edc008e8.webp)
특징
애플리케이션
Load Switch for Portable Devices |DC/DC Converter명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 8 V |
Id - Continuous Drain Current | 5.8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 12 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | Width | 1.6 mm |
Part # Aliases | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
---|---|---|
![]() |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
![]() |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
![]() |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
![]() |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
![]() |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
단계1 :제품
-
단계2 :진공 포장
-
단계3 :정전기 방지 가방
-
단계4 :개별 포장
-
단계5 :포장 상자
-
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
SI2305CDS-T1-GE3 is a chip that belongs to the NVM N-Channel MOSFET family. It is designed with a standard ON resistance of 0.046 ohms and a maximum drain current of 3 A. The chip offers enhanced performance and reliability for power management applications, providing efficient power handling capabilities.
-
Equivalent
Some equivalent products to the SI2305CDS-T1-GE3 chip are the SI2305BDS-T1-GE3, SI2305DDS-T1-GE3, and SI2305EDS-T1-GE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable alternatives for the SI2305CDS-T1-GE3. -
Features
The SI2305CDS-T1-GE3 is a small-signal MOSFET transistor with a low on-resistance and low threshold voltage. It has a compact SOT-23 surface-mount package and is suitable for a wide range of applications such as switching, amplification, and voltage regulation. -
Pinout
The SI2305CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions include Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2305CDS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, an American semiconductor company. -
Application Field
The SI2305CDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor (FET) that is commonly used in applications such as low voltage switching, power management, and amplification circuits. It is suitable for use in various electronic devices like smartphones, tablets, and portable electronics due to its compact size and low power consumption. -
Package
The SI2305CDS-T1-GE3 chip is packaged in a SOT-23 form factor. The SOT-23 package has three pins and small dimensions of approximately 2.94mm x 1.30mm x 1.30mm.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
모든 제품에 대해 365일 품질 보증