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vishay SI4401DDY-T1-GE3

Name: SI4401DDY-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Silicon transistor with 40V P-Channel and 10.2A drain current

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI4401DDY-T1-GE3

데이터 시트: SI4401DDY-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOIC-8

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI4401DDY-T1-GE3 일반적인 설명

MOSFET, P CH, -40V, -16.1A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16.1A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:6.3W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:-

특징

100% Rg tested
100% UIS tested
Halogen-free
-55 to 150°C Operating temperature range

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	SOIC-8
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	16.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance	15 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	64 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	6.3 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI4
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Forward Transconductance - Min	37 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	11 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	45 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Part # Aliases	SI4401DDY-GE3
Unit Weight	0.026455 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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부품 포인트

SI4401DDY-T1-GE3 is a chip designed by Vishay Siliconix. It is a P-channel MOSFET transistor, ideal for high-performance applications requiring low on-state resistance, low gate charge, and high switching speed. The chip can be used in various applications such as power management, load switching, and DC-DC conversion.
Equivalent

Some equivalent products of the SI4401DDY-T1-GE3 chip are SI4401BDY-T1-GE3, SI4401BDY-T1-E3, SI4401DDY-T1-E3, SI5441BDY-T1-GE3, and SI5441BDY-T1-E3.
Features

The SI4401DDY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of -30V and a continuous drain current of -4.5A. It features a low on-resistance of 62mΩ and a low gate threshold voltage of -1V, making it suitable for use in power management and switching applications.
Pinout

The SI4401DDY-T1-GE3 is a MOSFET transistor with 8 pins. It is commonly used in power management applications to control and switch high voltage and current.
Manufacturer

The manufacturer of the SI4401DDY-T1-GE3 is Vishay. Vishay is a global company specializing in the development, production, and supply of a wide range of electronic components and systems. They offer products such as discrete semiconductors, optoelectronic components, passive components, and integrated circuits, serving various industries including automotive, industrial, telecommunications, and more.
Application Field

The SI4401DDY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET transistor that is commonly used in applications such as power management, switching circuits, battery charging, and motor control. Its low voltage, high efficiency, and compact size make it suitable for use in various electronic devices and systems.