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IXFN200N10P

Name: IXFN200N10P
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXFN200N10P

데이터 시트: IXFN200N10P 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-227-4,miniBLOC

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,035 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFN200N10P 일반적인 설명

Whether used in motor control systems or UPS units, the IXFN200N10P ensures optimal performance and longevity. Its advanced features make it a versatile solution for a wide range of power management challenges, providing users with a dependable and efficient power handling solution

특징

Low Vibration Capability
Robust Construction
Fault-Tolerant Operation
High Reliability

애플리케이션

Advanced Power Management

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	HiPerFET™, Polar	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 500mA, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7600 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	680W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Supplier Device Package	SOT-227B	Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number	IXFN200

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The IXFN200N10P is a power MOSFET chip designed for high voltage and high-speed switching applications. It features a drain-to-source voltage of 1000V and a continuous drain current of 200A, making it suitable for industrial and automotive power systems. The chip is built with advanced silicon technology to deliver efficient performance and reliability in demanding environments.
Equivalent

The equivalent products of IXFN200N10P chip are IXFX280N10P, IXFQ300N10P, and IXYS IXTK200N10P. These products offer similar features and performance levels to the IXFN200N10P chip.
Features

IXFN200N10P is a 100V, 200A MOSFET module with a low on-state resistance of 4.6mOhm. It has an integrated gate drive circuitry, internal temperature monitoring, and fault reporting. The module is designed for motor control, power supply, and inverter applications.
Pinout

IXFN200N10P is a power MOSFET with a pin count of three. The functions of the pins are gate, drain, and source. The maximum drain-source voltage is 100 volts, with a continuous drain current of 200 amps. It is designed for high-power switching applications.
Manufacturer

IXYS Corporation is the manufacturer of IXFN200N10P. IXYS Corporation is a global provider of semiconductor solutions, specializing in power, radio frequency, and signal processing technologies. They provide products that improve efficiency, performance, and reliability in a variety of applications including industrial, automotive, telecommunications, and medical industries.
Application Field

IXFN200N10P is a power MOSFET transistor with a high voltage rating and low on-resistance, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, inverters, and electronic loads. It can be used in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high efficiency and reliable switching are required.
Package

The IXFN200N10P chip comes in a TO-268 package type. It is a power MOSFET designed in a through hole form. The size of the chip is approximately 10.5mm x 9.9mm x 4.6mm.