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vishay SI4410BDY-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI4410BDY-T1-E3
데이터 시트: SI4410BDY-T1-E3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOIC-8
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $0.704 | $0.704 |
| 10 | $0.593 | $5.930 |
| 30 | $0.537 | $16.110 |
| 100 | $0.483 | $48.300 |
| 500 | $0.450 | $225.000 |
| 1000 | $0.435 | $435.000 |
재고: 9,458 PCS
SI4410BDY-T1-E3 일반적인 설명
N-Channel 30 V 7.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
특징
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100 % Rg Tested
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V, 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI4 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S | Height: | 1.75 mm |
| Length: | 4.9 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 10 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Width: | 3.9 mm | Part # Aliases: | SI4410BDY-T1 |
| Unit Weight: | 0.006596 oz |
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| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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부품 포인트
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The SI4410BDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-performance power management applications. This chip features a low on-resistance, fast switching speed, and a compact SO-8 package, making it an ideal choice for DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.
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Equivalent
SI4410BDY-T1-E3 chip is equivalent to SI4410BDY-T1-GE3, Si4410BDY-T1-E3-AY, SI4410BDY, SI4410BDY-T1-GE3, and SI4410BDY-T1-E3-AC. These chips are all P-channel MOSFET transistors with similar specifications and characteristics. -
Features
SI4410BDY-T1-E3 is a P-channel MOSFET with a voltage rating of -20V and a continuous drain current of -1.2A. It has low on-resistance, high current gain, and fast switching speed. This MOSFET is designed for general-purpose use in applications like power management and load switching. -
Pinout
The SI4410BDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. The functions of the pins are as follows: Pin 1 and 2 are the Gate of the two MOSFETs, Pin 3 and 4 are the Source of the two MOSFETs, and Pin 5 and 6 are the Drain of the two MOSFETs. -
Manufacturer
The manufacturer of SI4410BDY-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a global company specializing in the design and production of a wide range of power semiconductor products, including MOSFETs, rectifiers, and power ICs. Established in 1962, Vishay Siliconix is a subsidiary of Vishay Intertechnology, a leading manufacturer of discrete semiconductors and passive components. -
Application Field
SI4410BDY-T1-E3 is suitable for various applications where low on-resistance and fast switching speeds are required, such as power management, load switching, battery protection, and DC-DC converters. It can also be used in portable electronics, industrial automation, automotive systems, and LED lighting. -
Package
The SI4410BDY-T1-E3 chip is in a D-Drain package form with a size of 3.3mm x 3.3mm.
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