이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기
주문 금액이
$5000
vishay SI1902CDL-T1-GE3
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI1902CDL-T1-GE3
데이터 시트: SI1902CDL-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-363-6
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*모든 가격은 USD 단위입니다.
| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 5 | $0.165 | $0.825 |
| 50 | $0.134 | $6.700 |
| 150 | $0.121 | $18.150 |
| 500 | $0.105 | $52.500 |
| 3000 | $0.097 | $291.000 |
| 6000 | $0.093 | $558.000 |
재고: 9,458 PCS
SI1902CDL-T1-GE3 일반적인 설명
The Vishay SI1902CDL-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a drain-source voltage rating of 20V. It is designed to handle a continuous drain current of 1.1A, making it suitable for a variety of low power applications. With its 6-pin configuration, this MOSFET is easy to integrate into circuit designs. Additionally, it is RoHS compliant, ensuring that it meets the latest environmental standards
특징
애플리케이션
High speed switching G1 G2명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 1.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 235 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 2 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI1 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Dual | Fall Time: | 10 ns |
| Height: | 0.75 mm | Length: | 2.05 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 13 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns | Width: | 2.05 mm |
| Part # Aliases: | SI1902CDL-T1-BE3 SI1958DH-T1-GE3 |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
 |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
![제품]( "제품")
단계1 :제품
-
![진공 포장]( "진공 포장")
단계2 :진공 포장
-
![정전기 방지 가방]( "정전기 방지 가방")
단계3 :정전기 방지 가방
-
![개별 포장]( "개별 포장")
단계4 :개별 포장
-
![포장 상자]( "포장 상자")
단계5 :포장 상자
-
![바코드 배송 태그]( "바코드 배송 태그")
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The SI1902CDL-T1-GE3 chip is a high-performance RF amplifier designed for use in wireless communication and automotive radar applications. It features low noise, high gain, and a wide frequency range, making it ideal for boosting signal strength in various electronic devices.
-
Equivalent
The equivalent products of SI1902CDL-T1-GE3 chip are SI1902CDL-T1-GE3GG and SI1902CDL-T1-P2-GE3. These chips are dual N-channel 30V (D-S) MOSFETs with low on-resistance and are commonly used in power management applications. -
Features
SI1902CDL-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of -60V, continuous drain current of -6A, and low RDS(on) of 0.12 ohms. It is suitable for use in various applications such as load switching, power management, and battery protection due to its high efficiency and compact size. -
Pinout
The SI1902CDL-T1-GE3 is a dual N-channel integrated circuit with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first N-channel MOSFET, Pin 2 is the source of the first N-channel MOSFET, Pin 3 is the drain of the first N-channel MOSFET, Pin 4 is the source/common connection, and Pins 5 and 6 are the drain and gate of the second N-channel MOSFET respectively. -
Manufacturer
The manufacturer of SI1902CDL-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and components for electronic devices. Vishay Siliconix is a leading supplier of power MOSFETs, power ICs, and analog switching regulators, catering to a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The SI1902CDL-T1-GE3 can be used in a variety of applications such as power management, voltage regulation, battery charging, and other power control circuits. It is suitable for portable electronics, industrial equipment, automotive systems, and other devices that require efficient power management solutions. -
Package
The SI1902CDL-T1-GE3 chip comes in a DFN-6 package type with a size of 2x2 mm and a form of Surface Mount.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
![제품]( "제품")
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
![quantity]( "quantity")
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
![shipping]( "shipping")
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
![보장하다]( "보장하다")
모든 제품에 대해 365일 품질 보증
