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$5000vishay SIR681DP-T1-RE3
Power Field-Effect Transistor, 71.9A I(D), 80V, 0.0167ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SIR681DP-T1-RE3
데이터 시트: SIR681DP-T1-RE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PowerPAK SO-8
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SIR681DP-T1-RE3 일반적인 설명
Power Field-Effect Transistor, 71.9A I(D), 80V, 0.0167ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
특징
- Precise control for power applications
- Enhanced reliability and durability
- Low noise emission guaranteed
- High surge current handling capacity
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK SO-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V | Id - Continuous Drain Current: | 71.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.2 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V | Qg - Gate Charge: | 31.7 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Vishay / Siliconix | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 14 ns, 47 ns | Length: | 6.15 mm |
| Product: | MOSFET | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 11 ns, 91 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | P-Channel 80 V (D-S) MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns, 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns, 40 ns | Width: | 5.15 mm |
| Unit Weight: | 0.006596 oz |
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부품 포인트
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The SIR681DP-T1-RE3 is a MOSFET transistor chip designed for high-power switching applications. It features a low on-resistance and high drain-source voltage rating, making it suitable for use in power management systems, motor control, and LED lighting. This chip is compact in size and offers high efficiency and reliability in various electronic devices.
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Equivalent
SIR681DP-T1-RE3 chip is equivalent to IRF1010NPBF, IRL8918PBF, and SI4425BDY-T1-E3 chips. -
Features
- Dual N-channel MOSFET - Low on-resistance (24 mOhm) - Low gate charge - Fast switching times - High performance in a small form factor - Suitable for high frequency applications - RoHS compliant and lead-free package -
Pinout
SIR681DP-T1-RE3 is a dual P-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 6. The function of this device is to act as a power switch in various applications such as load management, battery protection, and power supplies. -
Manufacturer
Skyworks Solutions, Inc. is the manufacturer of SIR681DP-T1-RE3. It is an American semiconductor company that designs and manufactures high-performance analog and mixed-signal semiconductors. The company serves a broad range of markets including automotive, wireless infrastructure, home automation, industrial, and aerospace applications. -
Application Field
SIR681DP-T1-RE3 is commonly used in DC-DC converters, voltage regulators, motor control systems, and power management applications. Its high efficiency and low thermal resistance make it suitable for various electronic devices that require precise power control and voltage regulation. -
Package
The SIR681DP-T1-RE3 chip is packaged in a D2PAK-7 package. It is a surface-mount device (SMD) with a form factor of TO-263-7. The size of the chip is approximately 10.4mm x 11mm x 4.5mm.
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