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ON NTMFS4C029NT1G
N-Channel 30 V 15A (Ta), 46A (Tc) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
제조업체부품 #: NTMFS4C029NT1G
데이터 시트: NTMFS4C029NT1G Datasheet (PDF)
패키지/케이스: TDFN-8
RoHS 상태:
재고상태: 2,262 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 5 | $0.326 | $1.630 |
| 50 | $0.268 | $13.400 |
| 150 | $0.243 | $36.450 |
| 1500 | $0.211 | $316.500 |
| 3000 | $0.197 | $591.000 |
| 4500 | $0.189 | $850.500 |
재고: 2,262 PCS
NTMFS4C029NT1G 일반적인 설명
N-Channel 30 V 15A (Ta), 46A (Tc) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
특징
- Ultra-Low On-State Resistance
- Compact and Highly Efficient Design
- Excellent Thermal Performance Guarantee
- Fast Switching Speed for High-Power Applications
- Lithium-Ion Compatible and AEC-Q100 Qualified
- Robust ESD Protection for Longer Lifespan
애플리케이션
- Smart Power Distribution
- Flexible Power Options
- Integrated Power Management
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NTMFS4C029NT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 488AA | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 67 Weeks |
| Date Of Intro | 2016-08-08 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 31 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 8.2 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0058 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 23.6 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 132 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-category | Power MOSFET |
| feature-material | feature-process-technology | ||
| feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | N | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 30 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 2.2 | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 15 |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 5.88@10V | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected]|18.6@10V |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | 18.6 | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 987@15V |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 5600 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 5 | feature-supplier-package | SO-FL EP |
| feature-standard-package-name1 | DFN | feature-cecc-qualified | |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
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| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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부품 포인트
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NTMFS4C029NT1G is a Power M Field-Effect Transistor (FET) chip from ON Semiconductor that is often used in power management applications. It offers low on-resistance and high current-handling capability, making it ideal for use in high-efficiency power supplies, DC-DC converters, and motor control circuits.
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Equivalent
The equivalent products of NTMFS4C029NT1G chip are: 1. IRF7807D1PBF 2. FDS8958A 3. FDS6912A 4. BSC0906N15NS3G 5. NTMFS4C2810N 6. FDB83N15TM These chips are all power MOSFETs with similar specifications and features as the NTMFS4C029NT1G. -
Features
NTMFS4C029NT1G is a Power MOSFET with a low ON-resistance, high switching performance, and low gate charge. It also features a small footprint and a high current capability, making it suitable for power management applications in space-constrained designs. -
Pinout
The NTMFS4C029NT1G is a MOSFET with a pin count of 8. It is a N-channel Power MOSFET used for high-speed switching applications in power supplies and DC-DC converters. The functions of the pins are Gate (G), Drain (D), Source (S), and various other connections for optimal performance. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMFS4C029NT1G is ON Semiconductor, a multinational semiconductor supplier. ON Semiconductor specializes in designing and manufacturing power management and digital signal processing products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The NTMFS4C029NT1G is typically used in power management applications such as voltage regulation, load switches, motor control, and battery charging. It offers low on-state resistance, high current handling capability, and fast switching speeds, making it suitable for a wide range of power electronics designs. -
Package
The NTMFS4C029NT1G chip is a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) and comes in a surface mount package. It has a form factor of 5mm x 6mm and a size of 8-pin Dual Asymmetric Leadless Package (DALP).
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