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ON NTHD4102PT1G

Name: NTHD4102PT1G
Rating: 4.5 (6 reviews)

High Current Handling - With a maximum current rating of 4.1A, it efficiently handles moderate to high power loads

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: NTHD4102PT1G

데이터 시트: NTHD4102PT1G Datasheet (PDF)

패키지/케이스: ChipFET-8

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3311 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NTHD4102PT1G 일반적인 설명

P Channel Mosfet, -20V, 1206A, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:2.9A; Continuous Drain Current Id P Channel:2.9A Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTHD4102PT1G

특징

Offers an Ultra Low R_DS(ON) Solution in the ChipFET™ Package
Miniature ChipFet Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6
Low Profile (<1.1mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
Simplifies Circuit Designs since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required
Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology

애플리케이션

Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
Charge Control in Battery Chargers
Buck and Boost Converters

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	ChipFET-8	Case Outline	1206A-03
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	3000
ON Target	Y	Channel Polarity	P-Channel
Configuration	Dual	V(BR)DSS Min (V)	-20
VGS Max (V)	8	VGS(th) Max (V)	1.5
ID Max (A)	2.9	PD Max (W)	1.1
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)	Q1=Q2=84	RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	Q1=Q2=64
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	2.6	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	7.6
Ciss Typ (pF)	750

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NTHD4102PT1G chip is a high-speed power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It provides efficient switching and low on-resistance to minimize power losses. This chip is commonly used in electronic devices and power management systems to regulate and control power flow.
Equivalent

Some equivalent products of the NTHD4102PT1G chip include the DMN10H170SEH, RFD16N06L, and NTB52N10L. These chips are all power MOSFETs designed for various applications and have similar features such as high voltage and current ratings.
Features

NTHD4102PT1G is an N-channel power MOSFET with a low on-resistance, suitable for efficient switching applications. It has a voltage rating of 30 V and a continuous drain current of 5.2 A. The device is housed in a small SOT-223 package, offering low thermal resistance and space-saving design for compact applications.
Pinout

The NTHD4102PT1G is a 6-pin, dual N-channel enhancement-mode MOSFET. Its functions include providing high switching speeds, low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage.
Manufacturer

The manufacturer of the NTHD4102PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor and electronics company. They design, manufacture, and distribute a wide range of semiconductor components, including integrated circuits, diodes, transistors, and sensors.
Application Field

The NTHD4102PT1G is a high-speed switching transistor primarily used in power management applications, such as DC-DC converters, LED backlighting, and motor control. It is commonly used in portable devices, automotive electronics, and industrial equipment where high efficiency and reliability are essential.
Package

The NTHD4102PT1G chip is available in a surface mount SOT-23 package. It has a small form factor, with dimensions of approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.