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$5000ON NTMD3P03R2G
Mosfet Array 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
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NTMD3P03R2G 일반적인 설명
Mosfet Array 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
특징
- Avalanche Energy Absorption
- IDSS Specified at High Temperature
- RDS(on) for Low Losses
애플리케이션
- Medical Devices
- Security Systems
- Unmanned Aerial Vehicles
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Status | Active | CAD Models | |
Compliance | PbAHP | Package Type | SOIC-8 |
Case Outline | 751-07 | MSL Type | 1 |
MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
Container Qty. | 2500 | ON Target | Y |
Channel Polarity | P-Channel | Configuration | Dual |
V(BR)DSS Min (V) | -30 | VGS Max (V) | 20 |
VGS(th) Max (V) | -3 | ID Max (A) | -3.05 |
PD Max (W) | 0.73 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | Q1=Q2=125 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | Q1=Q2=85 |
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 12 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 16 |
Ciss Typ (pF) | 520 | Pricing ($/Unit) | $0.4527 |
feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
feature-process-technology | feature-configuration | Dual Dual Drain | |
feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
feature-number-of-elements-per-chip | 2 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 30 |
feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 2.5 |
feature-maximum-continuous-drain-current-a | 3.05 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 85@10V |
feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 16@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 16 |
feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 520@24V | feature-typical-output-capacitance-pf | 170 |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 2000 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 8 | |
feature-supplier-package | SOIC N | feature-standard-package-name1 | SO |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | Yes |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | No |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
---|---|---|
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웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
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돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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단계1 :제품
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단계2 :진공 포장
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단계5 :포장 상자
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부품 포인트
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NTMD3P03R2G is a high-performance Gallium Nitride power transistor chip designed for RF power amplification applications in communication systems. It offers improved efficiency, power density, and linearity compared to traditional technologies. The chip is suitable for use in wireless infrastructure, radar systems, satellite communications, and other high-frequency applications.
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Equivalent
The equivalent products of the NTMD3P03R2G chip are the Infineon TLE6251-3G and the Texas Instruments TPD3S014-Q1. These chips are also high-speed CAN transceivers designed for use in automotive applications. -
Features
NTMD3P03R2G is a N-channel MOSFET transistor with a high voltage capability of 30V and a low on-resistance of 3 milliohms. It is designed for high-current applications, such as power management in industrial and automotive systems. -
Pinout
The NTMD3P03R2G is a dual P-channel enhancement mode MOSFET transistor with a pin count of 8. It is commonly used in switching applications and provides reverse blocking protection. Pin 1 is Source 2, pin 2 is Gate 2, pin 3 is Drain 2, pin 4 is Source 1, pin 5 is Gate 1, pin 6 is Drain 1, pin 7 is Source 1, and pin 8 is Drain 1. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMD3P03R2G is ON Semiconductor Corporation. ON Semiconductor is a Fortune 500 company that specializes in designing and manufacturing semiconductor components for various industries, including automotive, communication, consumer electronics, and industrial applications. They are a global supplier of power management, analog, and sensor products. -
Application Field
The NTMD3P03R2G is commonly used in voltage regulation applications in various electronic devices such as mobile phones, tablets, laptops, and power supplies. It is also suitable for power management in battery-powered devices, LED lighting, and automotive electronics. -
Package
The NTMD3P03R2G chip comes in a DFN-8 package type, is in a reel form, and has a size of 2mm x 2mm.
데이터 시트 PDF
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