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$5000ON MUN5135DW1T1G
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5135DW1T1G 일반적인 설명
Integrated with a monolithic bias network, the MUN5135DW1T1G digital transistor series offers a convenient solution for replacing single devices and their external resistor bias network. Featuring a single transistor with integrated resistors, including a base resistor and a base-emitter resistor, these Bias Resistor Transistors (BRT) simplify circuit design and reduce the need for additional components. By integrating these resistors into a single device, the BRT streamlines the assembly process, lowers system costs, and conserves valuable board space. This makes the MUN5135DW1T1G an ideal choice for applications where space-saving and cost-efficient solutions are essential
특징
- Enhances Thermal Management
- Simplifies System Configuration
- Increases Durability Performance
- Lowers System Failure Rate
애플리케이션
ONSEMI명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Status | Active | CAD Models | |
Compliance | PbAHP | Package Type | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 |
Case Outline | 419B-02 | MSL Type | 1 |
MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
Container Qty. | 3000 | ON Target | N |
Polarity | Dual PNP | IC Continuous (A) | 0.1 |
V(BR)CEO Min (V) | 50 | hFE Min | 80 |
R1 (kΩ) | 2.2 | R2 (kΩ) | 47 |
R1/R2 Typ | 0.047 | Vi(off) Max (V) | 0.5 |
Vi(on) Min (V) | 1.1 | Pricing ($/Unit) | $0.0231 |
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
RoHS: | Details | Configuration: | Dual |
Transistor Polarity: | PNP | Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.047 | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SC-88-6 | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | Continuous Collector Current: | - 100 mA |
Peak DC Collector Current: | 100 mA | Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Series: | MUN5135DW1 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | onsemi | DC Current Gain hFE Max: | 80 at 5 mA at 10 V |
Height: | 0.9 mm | Length: | 2 mm |
Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | Transistors | Width: | 1.25 mm |
Unit Weight: | 0.000219 oz |
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등가 부품
에 대한 MUN5135DW1T1G 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:
부품 번호
브랜드
패키지
설명
부품 번호 : SMUN5113DW1T1G
브랜드 :
패키지 :
설명 :
부품 번호 : SMUN5115DW1T1G
브랜드 :
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부품 번호 : MUN5136DW1T1G
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부품 번호 : MUN5113DW1T1G
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