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ON MUN5315DW1T1G
Trans Digital BJT NPN/PNP: MUN5315DW1T1G, 50V, 100mA, 6-Pin SOT-363, Tape and Reel
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브랜드: Onsemi
제조업체부품 #: MUN5315DW1T1G
데이터 시트: MUN5315DW1T1G Datasheet (PDF)
패키지/케이스: SC-88-6
RoHS 상태:
재고상태: 2,526 PC, 새로운 원본
상품 유형: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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500 | $0.036 | $18.000 |
1000 | $0.035 | $35.000 |
재고: 2,526 PCS
MUN5315DW1T1G 일반적인 설명
ON Semiconductor's MUN5315DW1T1G stands out as a dual N-channel MOSFET transistor designed to meet the needs of general-purpose switching applications. It boasts a 30V drain-to-source voltage rating and a 3.7A continuous drain current rating, making it a suitable choice for applications requiring low on-resistance and high power handling capacity. Furthermore, its low gate threshold voltage of 1.5V and low on-resistance of 0.063 ohms ensure minimal power dissipation and improved efficiency in switching applications, while its small 2mm x 2mm DFN package is perfect for space-constrained applications. With a maximum operating temperature of 150°C, this dual MOSFET provides reliable performance across a wide range of operating conditions
![mun5315dw1t1g mun5315dw1t1g](/files/uploads/product/b/mun5315dw1t1g20190218100152_3524.jpg)
특징
- MOSFET MUN53 offers 60V operation and 48A continuous drain current
- It has an on-resistance of just 21mOhm, reducing power losses
![mun5315dw1t1g mun5315dw1t1g](/files/uploads/product/b/mun5315dw1t1g20190323164833_0589.jpg)
애플리케이션
- GaN transistor for high-power apps
- Military, radar, satellite use
- Efficient and reliable performance
![mun5315dw1t1g mun5315dw1t1g](/files/uploads/product/b/mun5315dw1t1gMUN5315DW1T1G.jpg)
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | Digital Transistors | RoHS | Details |
Configuration | Dual | Transistor Polarity | NPN, PNP |
Typical Input Resistor | 10 kOhms | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-88-6 | DC Collector/Base Gain hfe Min | 160 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | Continuous Collector Current | 100 mA |
Peak DC Collector Current | 100 mA | Pd - Power Dissipation | 187 mW |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | MUN5315DW1 | Brand | onsemi |
DC Current Gain hFE Max | 160 at 5 mA at 10 V | Height | 0.9 mm |
Length | 2 mm | Number of Channels | 2 Channel |
Product Type | Digital Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | Transistors | Width | 1.25 mm |
Unit Weight | 0.000219 oz |
배송
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부품 포인트
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The MUN5315DW1T1G chip is an NPN lownoise amplifier transistor designed for applications in wireless communication systems. It operates in the frequency range of 900MHz to 2GHz and offers a low noise figure of 1.1dB, making it suitable for sensitive signal amplification. The chip is housed in a small SOT-323 package, which enables compact designs for space-constrained applications.
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Features
The MUN5315DW1T1G is a NPN Bipolar Power Transistor with a high collector current capability of 5A, low saturation voltage, and fast switching speed. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications in power supply systems, motor control, and consumer electronics. -
Pinout
The MUN5315DW1T1G is a dual NPN/PNP bipolar transistor with 6 pins. The first 3 pins are for connection to the NPN transistor, and the last 3 pins are for connection to the PNP transistor. The device is designed for switching applications in automotive and general-purpose use. -
Manufacturer
The manufacturer of the MUN5315DW1T1G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor supplier company. -
Application Field
The MUN5315DW1T1G is an NPN bipolar transistor commonly used in a variety of applications, including switching and amplification circuits, power management systems, and in various electronic devices requiring high voltage and current capabilities. -
Package
The MUN5315DW1T1G chip is available in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package. The chip has a form factor of a small rectangular shape with four terminals. The overall package size is approximately 2.0mm x 1.25mm x 0.75mm.
데이터 시트 PDF
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