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ON MJD122T4G
High-current device ideal for demanding applications
브랜드: ON
제조업체부품 #: MJD122T4G
데이터 시트: MJD122T4G 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-252
RoHS 상태:
재고상태: 5,999 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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|---|---|---|
| 1 | $0.588 | $0.588 |
| 10 | $0.485 | $4.850 |
| 30 | $0.433 | $12.990 |
| 100 | $0.381 | $38.100 |
| 500 | $0.332 | $166.000 |
| 1000 | $0.316 | $316.000 |
재고: 5,999 PCS
MJD122T4G 일반적인 설명
Designed to meet the demands of modern electronic systems, the MJD122T4G transistor offers a compelling set of features that make it an excellent choice for various applications. With its NPN polarity, single configuration, and capability to handle 8A continuous collector current and 100V collector-emitter voltage, this transistor delivers reliable performance in circuit designs. Boasting a DC current gain of 1000 and an operating temperature range of -65°C to 150°C, the MJD122T4G is well-suited for use in a wide range of environmental conditions. Its 4MHz transit frequency and 20W power dissipation rating further enhance its versatility and efficiency in signal processing tasks. Packaged in a DPAK housing with 3 pins and SMD mounting, the MJD122T4G offers easy integration into circuit layouts, while its Tape & Reel packaging ensures safe handling and storage. With a level-1 MSL rating for moisture sensitivity protection, this transistor is built to withstand varying operational challenges. Additionally, its maximum collector-emitter saturation voltage of 4V, base-emitter saturation voltage of 4.5V, and ability to endure reflow temperatures up to 260°C underscore its reliability and durability in demanding electronic applications
특징
- Wide Temperature Range -40°C to 150°C
- Automotive Grade Qualified and PPAP Capable
- High Current Handling Capability
- UL Recognized Component, File #E24683
애플리케이션
SWITCHING명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | DPAK-3 | Case Outline | 369C |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| IC Continuous (A) | 8 | V(BR)CEO Min (V) | 100 |
| VCE(sat) Max (V) | 2 | hFE Min (k) | 1 |
| hFE Max (k) | 12 | fT Min (MHz) | 4 |
| Pricing ($/Unit) | $0.2309Sample |
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부품 포인트
-
The MJD122T4G is a NPN Darlington transistor in a SOT-223 package. It is designed for high-voltage applications up to 100V and a continuous collector current of 5A. This chip is commonly used in power management circuits, motor control, and other industrial applications that require high current amplification.
-
Equivalent
The equivalent products of MJD122T4G chip are Fairchild Semiconductor MJD127T4G and NXP Semiconductors PZT855T1G. These products have similar specifications and can be used as replacements for the MJD122T4G chip. -
Features
1. NPN Darlington transistor. 2. High DC current gain. 3. Low collector-emitter saturation voltage. 4. Complementary PNP type available in MJD127T4G. 5. Power dissipation of 2W. 6. ESD rating of 2000V. 7. RoHS compliant. -
Pinout
The MJD122T4G is a DPAK (TO-252) package NPN power transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. It is commonly used in high current and high voltage applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJD122T4G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of energy-efficient silicon solutions for a wide range of electronics applications. They provide a comprehensive portfolio of innovative technologies, products, and solutions to help customers design and build future-oriented products. -
Application Field
The MJD122T4G is commonly used in high-speed, high-frequency switching applications such as power supplies, inverters, motor control, and solenoid drivers. It is well-suited for applications that require high efficiency, fast switching speeds, and high power density in automotive, industrial, and consumer electronics. -
Package
The MJD122T4G chip is available in a TO-252 package type and has a transistor form. The size of the chip is 3.90mm x 4.60mm.
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