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Microchip LND150N8

Name: LND150N8
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

브랜드: Microchip

제조업체부품 #: LND150N8

데이터 시트: LND150N8 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-89-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 8,932 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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LND150N8 일반적인 설명

General DescriptionThe LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS technology. The gate is ESD protected.The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplifcation.Features► Free from secondary breakdown► Low power drive requirement► Ease of paralleling► Excellent thermal stability► Integral source-drain diode► High input impedance and low CISS► ESD gate protectionApplications► Solid state relays► Normally-on switches► Converters► Power supply circuits► Constant current sources► Input protection circuits

특징

► Free from secondary breakdown
► Low power drive requirement
► Ease of paralleling
► Excellent thermal stability
► Integral source-drain diode
► High input impedance and low CISS
► ESD gate protection

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer	Microchip	Product Category	MOSFET
RoHS	N	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	SOT-89-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V	Id - Continuous Drain Current	30 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	1 kOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.2 W	Channel Mode	Depletion
Brand	Microchip Technology	Configuration	Single
Fall Time	450 ns	Height	1.6 mm
Length	4.6 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	450 ns
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	100 ns
Typical Turn-On Delay Time	90 ns	Width	2.6 mm
Unit Weight	0.001862 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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부품 포인트

The LND150N8 is a power MOSFET transistor designed for high voltage applications in power management and switching circuits. It has a maximum drain-source voltage of 80V and a continuous drain current of 0.25A. The LND150N8 is suitable for use in various electronic devices requiring high efficiency and reliability.
Equivalent

The equivalent products of the LND150N8 chip are the LND150N3, LND150N5, and LND150N6. These are N-channel JFET transistors with similar specifications and characteristics to the LND150N8.
Features

The LND150N8 is an N-channel, enhancement-mode lateral field-effect transistor (FET) with a high input impedance, low on-resistance, and low capacitance. It is designed for low power applications and offers high voltage capability of up to 150 volts.
Pinout

The LND150N8 is a N-channel depletion-mode MOSFET with 8 pins. It is typically used for low noise, high gain amplifier applications. Pin functions include gate (G), drain (D), source (S), and body (B).
Manufacturer

The manufacturer of LND150N8 is Microsemi Corporation, a company that specializes in semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets. It is a global leader in the design and manufacturing of high-performance components used in these industries.
Application Field

The LND150N8 is a power enhancement mode field-effect transistor (FET) commonly used for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and inverter circuits. It is also utilized in amplifiers, audio equipment, LED drivers, and battery management systems. The LND150N8 offers high current capacity and efficient power handling capabilities, making it ideal for a variety of industrial and consumer electronics applications.
Package

The LND150N8 is a TO-92 package type chip, with a through-hole form factor. It measures approximately 6.6mm x 5.2mm x 3.68mm in size.