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IXXH80N65B4H1

Name: IXXH80N65B4H1
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 650V 160A Power

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXXH80N65B4H1

데이터 시트: IXXH80N65B4H1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

RoHS 상태:

재고상태: 6,785 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXXH80N65B4H1 일반적인 설명

The IXXH80N65B4H1 product, developed using our exclusive XPT™ thin-wafer technology and state-of-the-art Trench IGBT process, offers a wide range of advantages. These include minimized thermal resistance, low energy consumption, swift switching speeds, minimal tail current, and high current densities. Notably, these IGBTs exhibit exceptional robustness during short-circuit scenarios, boasting a 10µs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA). Their square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) and 650V breakdown voltage make them ideal for snubber-less hard-switching applications. Moreover, their positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient enables designers to parallel multiple devices effortlessly to meet high current requirements. Thanks to their low gate charges, these IGBTs help reduce gate drive needs and minimize switching losses, making them a preferred choice for a variety of industrial uses

특징

High current handling capacity
Low electromagnetic interference
Self-recovery capability after fault conditions

애플리케이션

Robust construction
Stable operation
Energy-saving technology

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	GenX4™, XPT™	Package	Tube
Product Status	Active	IGBT Type	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V	Current - Collector (Ic) (Max)	160 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	430 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Power - Max	625 W	Switching Energy	3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Input Type	Standard	Gate Charge	120 nC
Td (on/off) @ 25°C	38ns/120ns	Test Condition	400V, 80A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	150 ns	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Package / Case	TO-247-3
Supplier Device Package	TO-247AD (IXXH)

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IXXH80N65B4H1 chip is a high power density IGBT module designed for use in applications such as motor drives, inverters, and power supplies. It features low switching and conduction losses, high reliability, and a compact footprint. The chip is ideal for high power, high frequency, and high voltage applications.
Equivalent

Some equivalent products of the IXXH80N65B4H1 chip are Infineon SPA08N65C3, Vishay SIHB80N65E-GE3, and STMicroelectronics STW80N65M5. These are Power MOSFETs with similar specifications and features that can be used as replacements for the IXXH80N65B4H1 chip in various electronic applications.
Features

The IXXH80N65B4H1 is a 650V, 80A high-speed switching IGBT module with integrated anti-parallel diode. It low VCE(sat), low switching losses, and high ruggedness. The module suitable for various power electronic applications such as motor drives, UPS systems, and renewable energy inverters.
Pinout

The IXXH80N65B4H1 is a 4th generation IGBT with a pin count of 3 (Gate, Collector, and Emitter). Its function is to control high power and high voltage applications, providing efficient switching and amplification of electrical signals.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IXXH80N65B4H1. It is a multinational company known for designing and manufacturing semiconductors and microelectronics. Infineon is a leading supplier of power semiconductors, sensors, and security solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The IXXH80N65B4H1 is a high-voltage, high-speed IGBT designed specifically for applications such as power supplies, induction heating, UPS, and motor control. It is commonly used in industrial applications that require high efficiency and high power density in a compact package.
Package

The IXXH80N65B4H1 chip is in a TO-264 package, is a single MOSFET form, and has a size of 10.5 mm x 20 mm.