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IXTH110N10L2

Name: IXTH110N10L2
Brand: LITTELFUSE INC
Rating: 4.8 (10 reviews)

IXTH110N10L2: MOSFET engineered for linear power delivery

브랜드: LITTELFUSE INC

제조업체부품 #: IXTH110N10L2

데이터 시트: IXTH110N10L2 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 6,507 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXTH110N10L2 일반적인 설명

For applications requiring Power MOSFETs to function in their current saturation regions, the IXTH110N10L2 offers unmatched performance and durability. By incorporating low thermal resistances and high power density, these devices can handle the rigorous thermal and electrical stresses that come with linear-mode operation. With an extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA), these MOSFETs mitigate the risk of device failures caused by extreme stresses, ensuring reliability even under high drain voltages and currents

특징

Compact design footprint
Efficient power consumption
Simplified system integration
Improved overall performance

애플리케이션

Current sensors
Voltage references
Amplifier modules

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	LITTELFUSE INC	Package Description	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	LITTELFUSE	Additional Feature	AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)	3000 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	110 A	Drain-source On Resistance-Max	0.018 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-247AD
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	600 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	300 A
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON

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부품 포인트

The IXTH110N10L2 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It has a maximum drain-source voltage of 1000V and a low on-resistance, making it suitable for power switching in various electronic devices. The chip is built with advanced technology to ensure efficient and reliable performance, making it an ideal choice for power conversion and control circuits.
Equivalent

The equivalent products of the IXTH110N10L2 chip include IXTH100N10L2, IXTH120N10L2, IXTH140N10L2, and IXTH160N10L2.
Features

The key features of the IXTH110N10L2 are: - Power MOSFET transistor - Low on-resistance - VDSS voltage rating of 100V - ID continuous current rating of 110A - Fast switching speed - Low gate charge - TO-247 package type - Suitable for a variety of high power applications.
Pinout

The IXTH110N10L2 is a MOSFET transistor with a TO-220 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins.
Manufacturer

The manufacturer of the IXTH110N10L2 is IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors, integrated circuits, and other electronic devices. They cater to various industries such as automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications.
Application Field

The IXTH110N10L2 is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications, including motor control, power supplies, consumer electronics, battery chargers, and solid-state relays.
Package

The IXTH110N10L2 chip is a power MOSFET transistor packaged in a TO-247 form. It has a size of approximately 15.75mm x 20.07mm x 5.84mm (0.62" x 0.79" x 0.23").