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IXFN82N60Q3

Name: IXFN82N60Q3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Ideal for industrial control systems, motor drives, and power supplies, this HiPerFET Pwr MOSFET offers superior reliability and efficienc

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXFN82N60Q3

데이터 시트: IXFN82N60Q3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-227-4

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFN82N60Q3 일반적인 설명

With its proven track record of exceptional performance and enhanced device ruggedness, the Q3-Class series MOSFETs represent a top choice for those seeking reliable power switching solutions. The broad range of drain-to-source voltage ratings and drain current ratings available within this series ensures that users can find the perfect device for their specific application requirements. The combination of low on-state resistance (Rdson) and gate charge (Qg) in the Q3-Class series results in superior efficiency and reduced losses during power switching operations. The utilization of the HiPerFETTM process further enhances the capabilities of the device, providing users with a reliable and efficient solution for their power management needs

특징

Enhanced Power Cycling Reliability
Low Voltage Threshold Performance
High Temperature Operating Range

애플리케이션

Efficient power supply
Compact design
Reliable performance

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	IXYS	Product Category:	Discrete Semiconductor Modules
RoHS:	Details	Technology:	Si
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, + 30 V	Mounting Style:	Chassis Mount
Package / Case:	SOT-227-4	Series:	IXFN82N60
Packaging:	Tube	Brand:	IXYS
Configuration:	Single	Id - Continuous Drain Current:	66 A
Number of Channels:	1 Channel	Pd - Power Dissipation:	960 W
Product Type:	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance:	75 mOhms
Rise Time:	300 ns	Factory Pack Quantity:	10
Subcategory:	Discrete Semiconductor Modules	Tradename:	HiPerFET
Transistor Polarity:	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Unit Weight:	1.058219 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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부품 포인트

The IXFN82N60Q3 is a high-power MOSFET chip designed for use in high voltage applications. It has a breakdown voltage of 600V and a current rating of 82A, making it ideal for power supplies, motor control, and other high-power electronics. The chip offers low on-state resistance and high switching speed for efficient operation.
Equivalent

Some equivalent products of IXFN82N60Q3 chip are Infineon IPW65R019C7, Fairchild FDB85965, and Vishay SIHGAP60N60E. These are also power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
Features

IXFN82N60Q3 is a fast switching N-channel power MOSFET with a high power handling capability of 82A and 600V. It has a low on-resistance of 0.065 ohms, making it efficient for high power applications. The MOSFET also has a compact TO-268 package with a lead-free design for environmentally friendly applications.
Pinout

IXFN82N60Q3 is a power MOSFET with a TO-268 package, having 3 pins: gate, drain, and source. It is designed for high-speed switching and high-power applications due to its low on-resistance and fast switching speed.
Manufacturer

IXYS Corporation is the manufacturer of IXFN82N60Q3. It is a global semiconductor company that designs, develops, and manufactures power semiconductors used in a wide range of applications, including industrial, automotive, telecommunications, and consumer electronics. They specialize in providing high-performance power conversion and power management solutions.
Application Field

IXFN82N60Q3 is a N-channel power MOSFET designed for high voltage applications. It is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high voltage switching applications. Its high efficiency, low on-resistance, and high current carrying capacity make it suitable for a wide range of industrial and automotive applications.
Package

The IXFN82N60Q3 chip comes in a TO-247 package type, with a single form that is through-hole mounted. The size of the chip is approximately 25.4mm x 10.4mm x 3mm.