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$5000IXFN80N50Q3
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브랜드: Littelfuse
제조업체부품 #: IXFN80N50Q3
데이터 시트: IXFN80N50Q3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT227-4
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IXFN80N50Q3 일반적인 설명
- The Q3-Class series of Power MOSFETs is engineered to provide exceptional power switching performance, exceptional thermal characteristics, and heightened device toughness. With voltage ratings spanning from 200V to 1000V and current ratings from 10A to 100A, these MOSFETs deliver optimized performance through a balance of low on-state resistance and gate charge, resulting in reduced conduction and switching losses. Leveraging the HiPerFETTM process, these devices feature a fast intrinsic rectifier with low reverse recovery charge, as well as improved commutating dV/dt ratings for added power efficiency
특징
- Low On-Resistance
- High Current Density
- Excellent Temperature Robustness
애플리케이션
- Seamless Integration
- Streamlined Design
- Enhanced Performance
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Technology | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Mounting Style | Chassis Mount |
Package / Case | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HiPerFET |
Brand | IXYS | Configuration | Single |
Id - Continuous Drain Current | 63 A | Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 780 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms | Rise Time | 250 ns |
Factory Pack Quantity | 300 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename | HiPerFET | Transistor Polarity | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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