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IXFN50N80Q2

Name: IXFN50N80Q2
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

브랜드: Ixys

제조업체부품 #: IXFN50N80Q2

데이터 시트: IXFN50N80Q2 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-227-4

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFN50N80Q2 일반적인 설명

The IXFN50N80Q2 power MOSFET from IXYS Corporation stands out with its impressive voltage and current ratings. With the ability to handle high voltages up to 800 volts and currents up to 80 amps, this MOSFET is a reliable choice for demanding applications where power efficiency and performance are crucial. Its N-channel enhancement-mode design ensures efficient operation, making it suitable for a wide range of power electronics projects

특징

This transistor has a voltage rating of 800V and a current rating of 50A.
It features low on-state resistance and fast switching characteristics
Suitable for use in power supplies, motor control and high-power applications

애플리케이션

Optimal for renewable energy systems
High voltage and current ratings

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	Discrete Semiconductor Modules	RoHS	Details
Product	Power MOSFET Modules	Technology	Si
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Mounting Style	Chassis Mount
Package / Case	SOT-227-4	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Brand	IXYS
Configuration	Single	Fall Time	13 ns
Height	9.6 mm	Id - Continuous Drain Current	50 A
Length	38.23 mm	Number of Channels	1 Channel
Pd - Power Dissipation	1.135 kW	Product Type	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance	150 mOhms	Rise Time	25 ns
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	Discrete Semiconductor Modules
Tradename	HiPerFET	Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	60 ns	Typical Turn-On Delay Time	26 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V	Width	25.42 mm
Unit Weight	1.058219 oz

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부품 포인트

IXFN50N80Q2 is a high-voltage, fast-switching MOSFET chip. It is designed for power amplification applications, particularly in motor control, UPS systems, and power supplies. It features low on-resistance, high current capacity, and high-speed switching capabilities. With a voltage rating of 800V and a current rating of 50A, this chip offers efficient and reliable performance in high-power applications.
Equivalent

There are several equivalent products to the IXFN50N80Q2 chip, including the IRFS7530, FGB50N60SMD, IRFI9630G, and FGH40N60SFD.
Features

The IXFN50N80Q2 is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 800V, a current rating of 50A, and a low on-state resistance. It has a small form factor, high power density, and is suitable for use in applications such as power supplies, motor control, and inverters.
Pinout

The IXFN50N80Q2 is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3, which includes a Drain pin, a Source pin, and a Gate pin. The Drain pin is used for power input and output, the Source pin is connected to the ground, and the Gate pin is used to control the transistor's operation.
Manufacturer

The manufacturer of the IXFN50N80Q2 is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that develops and produces power semiconductors, integrated circuits, and other electronic components for various applications, including power management and conversion, motor control, and telecommunications.
Application Field

The IXFN50N80Q2 is a high-power MOSFET that can be used in various applications such as motor drives, power supplies, inverters, and industrial equipment. It is designed to handle high voltages and currents, making it suitable for demanding power electronics applications.
Package

The IXFN50N80Q2 chip is available in a TO-247 package type. It has a quad construction and measures about 19mm x 8.8mm x 4.45mm in size.