이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기
주문 금액이
$5000
IXFN24N100
N-channel MOSFET IXFN24N100 in SOT-227B form factor
브랜드: IXYS
제조업체부품 #: IXFN24N100
데이터 시트: IXFN24N100 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-227-4
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*모든 가격은 USD 단위입니다.
| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $110.467 | $110.467 |
| 200 | $44.078 | $8815.600 |
| 500 | $42.604 | $21302.000 |
| 1000 | $41.877 | $41877.000 |
재고: 9,458 PCS
IXFN24N100 일반적인 설명
The N-Channel HiPerFET™ Standard series, epitomized by product IXFN24N100, provides a versatile selection of Power MOSFETs tailored for various applications requiring low gate charge and exceptional ruggedness. Whether it be hard switching or resonant mode operations, this series offers a fast intrinsic diode and is designed to withstand the demands of industrial settings. From isolated package options to the reliability of popular Power MOSFETs, the HiPerFET™ Standard series delivers on both performance and durability
특징
- Ultra-Low Power Consumption
- High-Speed Data Transfer
- Multimode Operation
- Integrated Power Management
애플리케이션
- Optimal power management
- Seamless integration compatibility
- Consistent performance output
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | HiperFET | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | HiPerFET |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 21 ns |
| Height: | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 568 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms | Rise Time: | 35 ns |
| Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename: | HyperFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV | Width: | 25.42 mm |
| Unit Weight: | 1.058219 oz |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
 |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
![제품]( "제품")
단계1 :제품
-
![진공 포장]( "진공 포장")
단계2 :진공 포장
-
![정전기 방지 가방]( "정전기 방지 가방")
단계3 :정전기 방지 가방
-
![개별 포장]( "개별 포장")
단계4 :개별 포장
-
![포장 상자]( "포장 상자")
단계5 :포장 상자
-
![바코드 배송 태그]( "바코드 배송 태그")
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
IXFN24N100 is a high power MOSFET chip with a voltage rating of 1000V and a current rating of 24A. It is designed for use in high power applications such as motor drives, power supplies, and inverters. The chip features low on-resistance and high efficiency, making it suitable for demanding power electronics applications.
-
Equivalent
The equivalent products of the IXFN24N100 chip are the IXYS IXFN25N120P3 and the Infineon IPP60R190CP. These are both power MOSFETs with similar specifications and performance capabilities. -
Features
- IXFN24N100 is a 1000V and 24A silicon carbide MOSFET - Low on-resistance and fast switching - High temperature operation up to 175°C - High reliability and efficiency in power electronic applications - Low gate charge and gate voltage - Ideal for use in high power applications such as motor drives, inverters, and power supplies -
Pinout
The IXFN24N100 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions are gate (G), drain (D), and source (S). The transistor is typically used for high voltage, high-speed switching applications in power electronics. -
Manufacturer
IXFN24N100 is manufactured by IXYS Corporation, which is a global semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. IXYS Corporation serves industries such as transportation, industrial, medical, and energy by providing high-performance and reliable semiconductor solutions. -
Application Field
IXFN24N100 is a power MOSFET transistor that can be used in applications such as power supplies, motor control, inverters, and other high voltage switching applications. It is designed to handle high current and high voltage levels, making it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The IXFN24N100 chip is a TO-3P package type, with a form of TO-247, and a size of 10.5mm x 24mm.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
![제품]( "제품")
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
![quantity]( "quantity")
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
![shipping]( "shipping")
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
![보장하다]( "보장하다")
모든 제품에 대해 365일 품질 보증
