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IXFN180N25T

Name: IXFN180N25T
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXFN180N25T

데이터 시트: IXFN180N25T 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-227-4

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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재고: 9,458 PCS

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IXFN180N25T 일반적인 설명

With the IXFN180N25T, you get more than just a standard power MOSFET – you get a cutting-edge solution for your low voltage and high current needs. Its ultra-low RDS(on) not only saves power but also delivers superior performance in tough conditions. From automotive applications to other demanding environments, this MOSFET is designed to excel and provide long-lasting reliability

특징

High Current Handling Capability Available
Space-Saving Package Design
Fast Response Time

애플리케이션

Efficient power supply
Reliable DC converter
Advanced battery charger

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	IXYS	Product Category:	Discrete Semiconductor Modules
RoHS:	Details	Product:	Power MOSFET Modules
Type:	GigaMOS Power MOSFET	Technology:	Si
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V	Mounting Style:	Screw Mounts
Package / Case:	SOT-227-4	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	IXFN180N25
Packaging:	Tube	Brand:	IXYS
Configuration:	Single	Fall Time:	20 ns
Height:	12.22 mm	Id - Continuous Drain Current:	168 A
Length:	38.23 mm	Number of Channels:	1 Channel
Pd - Power Dissipation:	900 W	Product Type:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance:	12.9 mOhms	Rise Time:	52 ns
Factory Pack Quantity:	10	Subcategory:	Discrete Semiconductor Modules
Tradename:	HiPerFET	Transistor Polarity:	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	88 ns	Typical Turn-On Delay Time:	35 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Width:	25.42 mm

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IXFN180N25T is a high-performance power MOSFET chip designed for use in high-power applications. It features a low on-state resistance and high current handling capabilities, making it ideal for power conversion and motor control applications. The chip is known for its reliability and efficiency in managing high-power systems.
Equivalent

Equivalent products of IXFN180N25T chip include STW75N20 FET, IRFP4768 MOSFET, and AUIRFN8459 FET.
Features

The IXFN180N25T is a Power MOSFET designed for high power applications with a voltage rating of 250V and a current rating of 180A. It features low on-state resistance for efficient power handling, low gate charge for fast switching, and a rugged construction for reliable performance in demanding environments.
Pinout

The IXFN180N25T is a TO-268 package type Power MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. This device is used for power switching applications in a variety of industrial and automotive applications.
Manufacturer

IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFN180N25T. IXYS Corporation is a global semiconductor company specializing in power and analog semiconductors. They design and produce a wide variety of products for a range of applications such as power conversion, motor control, and renewable energy.
Application Field

IXFN180N25T is a high voltage MOSFET designed for use in power supply, DC-DC converters, motor control, and other high voltage applications. It is suitable for applications that require high efficiency, low conduction losses, and high frequency operation.
Package

The IXFN180N25T chip is in a TO-247 package, with a through-hole form. It has a size of 31.5mm x 15.9mm.