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IRLR8729PBF

Name: IRLR8729PBF
Brand: Infineon
Rating: 4.8 (10 reviews)

Low on-resistance and high efficiency ensure reliable performanc

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRLR8729PBF

데이터 시트: IRLR8729PBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-252-3

RoHS 상태:

재고상태: 7,740 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRLR8729PBF 일반적인 설명

The IRLR8729PBF is a versatile N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. With a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 25A, this MOSFET is a reliable solution for a variety of power management needs. Housed in a TO-252 package, also known as a D-Pak, it offers a low on-state resistance of 19mΩ, optimizing power efficiency and minimizing power dissipation

특징

Compact and efficient package
Low power dissipation
Robust construction
Suitable for industrial applications

High reliability and MTBF
Limited electromagnetic interference
Wide operating temperature range

애플리케이션

Smart security
Wireless metering
Internet control

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-252-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	58 A	Rds On - Drain-Source Resistance	11.9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.35 V
Qg - Gate Charge	10 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	55 W
Channel Mode	Enhancement	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Forward Transconductance - Min	91 S	Height	2.3 mm
Length	6.5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	47 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	HEXFET Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	11 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Width	6.22 mm
Part # Aliases	SP001574172

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IRLR8729PBF is a Power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip that is designed for use in high-power applications. It features a low on-resistance and a high current rating, making it ideal for power management and control in various electronic devices and systems.
Equivalent

The equivalent products of IRLR8729PBF chip are IRF4905PBF, IRLB8721PBF, IRLB8743PBF, and IRF3205PBF. These are power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, suitable for a wide range of applications.
Features

1. MOSFET transistor 2. 100V drain-source voltage 3. 240A continuous drain current 4. Low on-resistance (RDS(on)) 5. TO-252-3 package 6. High power density 7. Suitable for high power applications 8. RoHS compliant and halogen-free.
Pinout

IRLR8729PBF is a MOSFET transistor with a 4-pin TO-252 package. The pin functions are Gate (G), Drain (D), Source (S), and Body. It is typically used for power switching applications due to its low on-state resistance.
Manufacturer

The manufacturer of IRLR8729PBF is Infineon Technologies AG. It is a German multinational semiconductor manufacturer specializing in power semiconductor and system solutions. Infineon is a leading supplier of chips for automotive, industrial, and security applications, with a focus on energy efficiency, mobility, and security.
Application Field

IRLR8729PBF is commonly used in applications such as power management, load switching, battery protection, and motor control. It is often found in portable electronics, IoT devices, automotive systems, and industrial equipment due to its high efficiency, low on-resistance, and fast switching capabilities.
Package

The IRLR8729PBF is a power MOSFET chip in a TO-252 package, also known as DPAK. It has a form factor of a single through-hole component with three leads. The size of the package is 6.6mm x 9.7mm x 5.3mm.