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IRG4PC50WPBF

Name: IRG4PC50WPBF
Rating: 4.5 (10 reviews)

Insulated Gate Bipolar Transistor, IRG4PC50WPBF

브랜드: Infineon Technologies

제조업체부품 #: IRG4PC50WPBF

데이터 시트: IRG4PC50WPBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO247-3

상품 유형: Single IGBTs

RoHS 상태:

재고상태: 7,321 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRG4PC50WPBF 일반적인 설명

Designed for high power applications, the IRG4PC50WPBF Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) by Infineon Technologies offers impressive features. With a maximum voltage rating of 1200V and a continuous current rating of 46A, this IGBT is ideal for motor control, power supplies, and inverters. Its low on-state voltage of 2.2V and low switching energy of 0.27mJ contribute to its efficiency and performance. The device also features a compact, lightweight TO-247 package for easy mounting and connection, as well as a high short circuit withstand time of 10µs for critical protection. With a wide operating temperature range of -55°C to 150°C and high di/dt capability, the IRG4PC50WPBF is suitable for diverse environmental conditions and high-frequency switching applications

특징

The IRG4PC50WPBF has a high voltage rating and low leakage current.
This IGBT module is suitable for a wide range of applications including motor drives, power supplies, and lighting systems.
It features a compact design and low power consumption.

애플리케이션

Suitable for welding equipment
Works well in UPS systems
Reliable in industrial controls

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	IGBT Transistors	RoHS	Details
Technology	Si	Package / Case	TO-247-3
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	55 A
Pd - Power Dissipation	200 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Brand	Infineon Technologies	Height	20.7 mm
Length	15.87 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	400	Subcategory	IGBTs
Width	5.31 mm

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부품 포인트

The IRG4PC50WPBF is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip. It is designed for use in power electronics applications such as motor controls, inverters, and power supplies where high switching speeds and efficiency are required. The chip offers a low on-state voltage drop and low switching losses, making it suitable for high-power applications.
Equivalent

Some equivalent products of IRG4PC50WPBF chip are IRG4PC50UD, IRG4PC50UDPBF, IRG4PC50W, IRG4PC50WPBF7PPBF, and IRGP50B60PD1. These chips are all high-voltage insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high power switching applications.
Features

- Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module - High speed switching capabilities - Low saturation voltage - Enhanced ruggedness and reliability - 600V collector-emitter voltage - 55A collector current - 200W total power dissipation - RoHS compliant
Pinout

IRG4PC50WPBF is a 3-pin IGBT module. The pins correspond to the gate (G), collector (C), and emitter (E) functions.
Manufacturer

IRG4PC50WPBF is manufactured by International Rectifier, an American company that specializes in power management technology. They design and produce high-performance semiconductors for a variety of applications, including automotive, aerospace, and industrial markets. International Rectifier is a leading manufacturer in the field of power management technology.
Application Field

IRG4PC50WPBF is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in applications such as motor drives, power supplies, induction heating, and UPS systems. Its 600V voltage rating and high current capability make it ideal for use in high power electronic devices.
Package

The IRG4PC50WPBF is a semiconductor chip packaged in a TO-247AC form with a size of 3.58mm x 16.51mm x 20.32mm.