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$5000IRFR3410PBF
DPAK packaged IRFR3410PBF is a N-channel transistor suitable for high power applications
브랜드: INFINEON TECHNOLOGIES AG
제조업체부품 #: IRFR3410PBF
데이터 시트: IRFR3410PBF 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-252-3
RoHS 상태:
재고상태: 8,266 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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수량 | 단가 | 추가 가격 |
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1 | $0.388 | $0.388 |
200 | $0.150 | $30.000 |
500 | $0.145 | $72.500 |
1000 | $0.142 | $142.000 |
재고: 8,266 PCS
IRFR3410PBF 일반적인 설명
Featuring a single element design, the IRFR3410PBF offers efficient power conversion capabilities in a compact and reliable package. The N-channel configuration enables easy integration into existing circuit designs for enhanced performance. The TO-252AA package ensures easy installation and maintenance, while the lead-free and plastic construction make it environmentally friendly
특징
- Dynamic dV/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Surface Mount (IRFR320/SiHFR320)
- Straight Lead (IRFU320/SiHFU320)
- Available in Tape and Reel
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Lead (Pb)-free Available
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Source Content uid | IRFR3410PBF | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 140 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 30 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.039 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-252AA | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 110 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 125 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
배송
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