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IRFR13N20DTRPBF
Power Field-Effect Transistor
브랜드: INFINEON TECHNOLOGIES AG
제조업체부품 #: IRFR13N20DTRPBF
데이터 시트: IRFR13N20DTRPBF 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: D-PAK
RoHS 상태:
재고상태: 7,172 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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|---|---|---|
| 1 | $0.826 | $0.826 |
| 10 | $0.687 | $6.870 |
| 30 | $0.618 | $18.540 |
| 100 | $0.550 | $55.000 |
| 500 | $0.509 | $254.500 |
| 1000 | $0.488 | $488.000 |
재고: 7,172 PCS
IRFR13N20DTRPBF 일반적인 설명
The IRFR13N20DTRPBF Power MOSFET transistor from Infineon Technologies is a reliable and efficient component for power management applications. With a continuous drain current of 13A and a drain-source voltage of 200V, this N-channel MOSFET transistor is capable of handling a variety of power requirements. Its low on-resistance of 0.19 ohms ensures minimal power loss and high efficiency in operation, making it an ideal choice for motor controls, DC-DC converters, and inverters
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | IRFR13N20DTRPBF | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 130 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
| Drain Current-Max (ID) | 13 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.235 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 110 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 52 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
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