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IRFB3206PBF

Name: IRFB3206PBF
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

브랜드: Infineon Technologies

제조업체부품 #: IRFB3206PBF

데이터 시트: IRFB3206PBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

RoHS 상태:

재고상태: 5,594 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRFB3206PBF 일반적인 설명

The IRFB3206PBF power MOSFET stands out as a high-performance device tailored for high-power applications. Boasting a voltage rating of 60V and a continuous drain current of 120A, it is well-suited for demanding industrial and automotive environments, where robust and reliable performance is essential. With a low on-resistance of 0.0035 ohms, the MOSFET ensures minimal power loss and high efficiency in power switching applications, making it a favorable choice for power supplies, motor control, high-current switching circuits, and automotive systems. Its TO-220AB package allows for easy mounting on a heatsink for efficient thermal management, while its ability to operate at high frequencies makes it ideal for applications that require fast switching speeds. Additionally, the MOSFET features a low gate charge and capacitance, facilitating easy and efficient control of the device. All in all, the IRFB3206PBF provides reliable and robust performance across a wide range of applications, making it an indispensable component for power electronics

특징

Advanced Power Management
Fast Switching Technology
High Current Capable

애플리케이션

Efficient power conversion
Manage power systems
Great for amplification

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	HEXFET®	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 75A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6540 pF @ 50 V	Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB	Package / Case	TO-220-3
Base Product Number	IRFB3206

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부품 포인트

The IRFB3206PBF is a power MOSFET semiconductor chip designed for high-efficiency power management applications. It features a low on-resistance and high current-handling capabilities, making it suitable for use in a wide range of power electronics applications such as motor control, lighting, and voltage regulation.
Equivalent

The equivalent products of IRFB3206PBF chip are IRFB3206, IRFB3206PBF, IRF3206PBF, and IRF3206. These are all power MOSFET transistors with similar specifications and characteristics suitable for high power applications.
Features

The IRFB3206PBF is a N-channel power MOSFET with a voltage rating of 60V, a continuous drain current of 120A, and a low on-resistance of 8.9mΩ. It is suitable for high power switching applications, such as motor control and power supplies, due to its high current handling capability and low conduction losses.
Pinout

The IRFB3206PBF is a power MOSFET with a TO-220AB package and has 3 pins. Pin 1 is the Gate, pin 2 is the Drain, and pin 3 is the Source. The functions of these pins are to control the flow of current between the Drain and Source terminals using the Gate signal.
Manufacturer

The IRFB3206PBF is manufactured by International Rectifier, a company specializing in power management technology for various industries including automotive, computing, consumer, and industrial. They develop innovative solutions for power efficiency, reliability, and performance.
Application Field

The IRFB3206PBF is commonly used in high power and industrial applications, such as motor control, power supplies, and inverters. Its low on-state resistance and high current capability make it suitable for switching and amplifying high power signals in various electronic devices and systems.
Package

The IRFB3206PBF chip is in a TO-220 package, with a through-hole form factor, and measures approximately 10.4mm x 9.15mm x 4.6mm.