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IRF9530NSPBF

Name: IRF9530NSPBF
Brand: Infineon
Rating: 4.8 (10 reviews)

High-reliability device suitable for aerospace and automotive industries

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRF9530NSPBF

데이터 시트: IRF9530NSPBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-252-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 7,242 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF9530NSPBF 일반적인 설명

The IRF9530NSPBF is a Power MOSFET transistor designed for high performance in power applications. It has a P-Channel design with a drain-source voltage of -100V and a continuous drain current rating of -14A. The IRF9530NSPBF features a low on-resistance of 0.18 ohms, which helps to minimize power losses and improve efficiency in circuit designs.This transistor is housed in a TO-263 package, which allows for easy mounting on a printed circuit board. It also features a high power dissipation rating of 75W, making it suitable for a wide range of power applications where high performance and reliability are essential.The IRF9530NSPBF is designed to provide excellent thermal performance, with a junction-to-ambient thermal resistance of 62°C/W. This helps to ensure that the transistor maintains a stable temperature during operation, preventing overheating and potential damage to the component.

특징

Silicon carbide substrate technology
Low noise and radiation immunity
High current density rating
Enhanced radiation hardness
Fine pitch wire bonding process
Die attach and wire bondable

애플리케이션

Switching regulators
Battery charging
Power management

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-252-3	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	14 A	Rds On - Drain-Source Resistance	200 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	38.7 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	3.8 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	46 ns	Height	2.3 mm
Length	6.5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	58 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	HEXFET Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	45 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns	Width	6.22 mm
Part # Aliases	SP001555856

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부품 포인트

The IRF9530NSPBF is a power MOSFET transistor designed for high-power applications in electronic devices. It offers low on-resistance and high switching speeds, making it suitable for power amplifiers, motor control, and voltage regulation circuits. This chip has a high drain-source voltage rating of 100V and a maximum continuous drain current of 14A.
Equivalent

The equivalent products of the IRF9530NSPBF chip are the IRF9530NPBF, IRF9530N, and IRF9530NS. These are all P-channel Power MOSFETs with similar specifications and functionality.
Features

1. P-channel MOSFET with a drain-source voltage of -100V 2. Drain current of -14A 3. Low on-resistance of 0.3 ohms 4. High current capability and low gate drive power 5. Suitable for high voltage applications such as power supplies and motor control
Pinout

IRF9530NSPBF is a P-channel Power MOSFET with a TO-263 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate controls the flow of current between the drain and source terminals. This MOSFET is commonly used in high-power switching applications.
Manufacturer

The manufacturer of IRF9530NSPBF is Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. With a focus on innovation and sustainability, Infineon is a global leader in the semiconductor industry.
Application Field

IRF9530NSPBF is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, motor control, and inverters. It is also used in automotive electronics, industrial controls, and medical devices. The high power capability and low on-resistance make it suitable for high-performance applications requiring efficient power handling.
Package

The IRF9530NSPBF is a surface mount transistor packaged in a TO-263 form with a size of 10.4mm x 9.1mm (0.41" x 0.36").