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IRF7341PBF

Name: IRF7341PBF
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-power MOSFET for demanding applications

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRF7341PBF

데이터 시트: IRF7341PBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOIC-8

상품 유형: FET, MOSFET Arrays

RoHS 상태:

재고상태: 6,538 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF7341PBF 일반적인 설명

The IRF7341PBF is a powerhouse when it comes to power management applications. With a maximum drain-source voltage of 55V and a continuous drain current of 5.3A, this dual N-channel MOSFET transistor is designed to deliver top-notch performance. Its low on-resistance of 0.05 ohms at a gate-source voltage of 10V ensures minimal power losses, making it an excellent choice for applications where efficiency is key. Additionally, the IRF7341PBF boasts a low gate charge of 17nC, allowing for swift and effective switching operations

특징

Fast and efficient switching
Robust design for high-reliability applications
Compact package for reduced space usage
Surface-mountable for easy integration
High-frequency operation for precision control
Durable construction for long-lasting performance

애플리케이션

Power supply circuits
Audio amplifier controls
Motor control systems

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOIC-8	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Id - Continuous Drain Current	4.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	24 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Dual
Fall Time	13 ns	Height	1.75 mm
Length	4.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	3.2 ns	Factory Pack Quantity	3800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Type	Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	32 ns
Typical Turn-On Delay Time	8.3 ns	Width	3.9 mm
Part # Aliases	SP001577408

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