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IRF1607

Power Field-Effect Transistor with 75A I(D) and 75V

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon Technologies

제조업체부품 #: IRF1607

데이터 시트: IRF1607 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 6,274 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF1607 일반적인 설명

The IRF1607 is a high power MOSFET transistor designed for use in power supply applications, motor control, and other high power circuit designs. With a drain-to-source voltage rating of 75V and a continuous drain current rating of 120A, this N-channel MOSFET is capable of handling demanding loads with ease. Its low on-resistance of 0.004 ohms allows for efficient power handling without excessive heat generation, while its fast switching speed and low gate charge make it suitable for high frequency applications. The TO-220 package provides easy integration into circuit designs and excellent thermal performance for heat dissipation, ensuring reliable operation even under heavy load conditions

특징

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수 매개변수
Series HEXFET® Package Tube
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 142A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 85A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7750 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB

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