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Infineon IPP60R074C6

Name: IPP60R074C6
Rating: 4.5 (6 reviews)

Infineon MOSFET Transistor IPP60R074C6"

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IPP60R074C6

데이터 시트: IPP60R074C6 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3600 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPP60R074C6 일반적인 설명

The IPP60R074C6 is a 600V CoolMOS C6 series power MOSFET designed for a variety of high-efficiency applications such as power supplies, lighting, and motor control. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 30A, making it suitable for high-power applications.This MOSFET features ultra-low on-state resistance (Rds(on)) of 0.074 ohms, which allows for reduced power losses and improved efficiency in power conversion systems. It also has a low gate charge of 36nC, ensuring fast switching speeds and minimal switching losses.The IPP60R074C6 is housed in a TO-220 package, which provides efficient thermal dissipation and allows for easy mounting on a heatsink. It has a maximum operating temperature of 150 degrees Celsius, making it suitable for demanding industrial applications.

특징

N-channel power MOSFET
Designed for high current application
Low on-resistance
Enhanced efficiency
High switching speed
Low gate charge
Compatible with standard level logic
High energy efficiency
ESD protection
RoHS compliant

애플리케이션

Industrial automation systems
Electrical drives
Renewable energy systems
Power supplies
Automotive systems
Motor control applications
Switching power supplies
DC/DC converters
Welding equipment
Battery chargers

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	57.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	67 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	138 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	480.8 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS C6	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	4 ns
Height	15.65 mm	Length	10 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	7 ns
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	56 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns	Width	4.4 mm
Part # Aliases	IPP6R74C6XK SP000898652 IPP60R074C6XKSA1

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	배송비	리드타임
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

등가 부품

에 대한 IPP60R074C6 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : IRFP4710PBF

브랜드 :

패키지 : TO-247(AC)

설명 : MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.011Ω; ID 72A; TO-247AC; PD 190W; VGS +/-20V

부품 번호 : IRFP460LC-ND

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : STP60NF06L

브랜드 :

패키지 : TO-220

설명 : N-CHANNEL 60V - 0.012 Ohm - 60A TO-220 / TO-220FP / D2PAK STripFETTM II POWER MOSFET

부품 번호 : STP55NF06L

브랜드 :

패키지 : TO-220

설명 : N CHANNEL MOSFET, 60V, 55A,Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:55A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V, No. of Pins:3 Power MOSFET

부품 번호 : FDP047AN08A0

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 포인트

IPP60R074C6 is a power MOSFET semiconductor chip widely used in electronic devices for high-voltage applications. It offers low on-state resistance and high switching speeds, making it efficient for power management and control. The chip is designed for optimal performance in modern electronic systems requiring reliable and high-power operation.
Equivalent

The equivalent products of IPP60R074C6 chip are IPP60R074C7, IPP60R074CP, IPP60R190C6, IPP60R190C7, IPP60R190CP, and IPP60R190P7. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
Features

1. N-channel power MOSFET 2. 600V drain-source voltage 3. 60A continuous drain current 4. Low switching losses 5. 1.4V gate threshold voltage 6. Optimized for high-frequency applications 7. Excellent thermal performance 8. Suitable for motor drives, inverters, and industrial applications.
Pinout

The IPP60R074C6 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is commonly used in power supply applications due to its high voltage and current handling capabilities.
Manufacturer

The IPP60R074C6 is manufactured by Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of a wide range of semiconductor products for various applications, including automotive, industrial, and power management. They are known for their high-quality and innovative products in the industry.
Application Field

The IPP60R074C6 is a power MOSFET suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. It is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers due to its high efficiency, low on-resistance, and robust construction.
Package

The IPP60R074C6 chip is a Power MOSFET transistor in a TO-220 package type. It is in a through-hole form with a size of 10.4mm x 4.1mm x 9.7mm.