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Infineon IPD050N10N5 48HRS

TO-252-3 MOSFETs ROHS

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IPD050N10N5

데이터 시트: IPD050N10N5 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: DPAK (TO-252)

RoHS 상태:

재고상태: 2660 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPD050N10N5 일반적인 설명

OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPD050N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices, one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

ipd050n10n5

특징

  • It has a drain-source voltage (VDS) rating of 100V.
  • It can handle a continuous drain current (ID) of 50A.
  • It has a low on-resistance (RDS(on)) of 5 mOhm, which means it can conduct current with low power loss.
  • It is designed to operate at high switching frequencies, which makes it suitable for various power electronics applications.

애플리케이션

  • DC-DC converters and switching regulators
  • Motor control
  • Solar power inverters
  • Uninterruptible power supplies (UPS)
  • Battery management systems
  • Electric vehicle (EV) charging stations

명세서

매개변수 매개변수
IDpuls max 320.0 A Mounting SMD
Ptot max 150.0 W Package DPAK (TO-252)
Polarity N RthJA max 75.0 K/W
RthJC max 1.0 K/W VDS max 100.0 V
RDS (on) max 5.0 mΩ ID max 80.0 A
VGS(th) max 3.8 V VGS(th) min 2.2 V
Operating Temperature max 175.0 °C

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등가 부품

에 대한 IPD050N10N5 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 :   IRF3710ZPBF

브랜드 :  

패키지 :   TO-220AB

설명 :   N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:59A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):18mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V

부품 번호 :   IRFP260NPBF

브랜드 :  

패키지 :   TO-247AC

설명 :   MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

부품 번호 :   FDPF50N06

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   RFP50N06

브랜드 :  

패키지 :   TO-220AB

설명 :   N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):22mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Product Range:-

부품 번호 :   STW50NM50N

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 포인트

  • The IPD050N10N5 is a power MOSFET chip developed by Infineon Technologies. It is designed for use in various power conversion applications, offering low on-resistance, high efficiency, and high reliability. Its compact size and high performance make it suitable for use in a wide range of electronic devices and systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of IPD050N10N5 chip are Infineon BSC050N10NS5 and STMicroelectronics STL007PN10N5. They are both N-channel enhancement mode power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    1. N-channel MOSFET transistor 2. Low on-resistance: 50 mΩ 3. 100V drain-source voltage rating 4. 5A continuous drain current 5. Suitable for high power applications such as motor control and power supplies.
  • Pinout

    The IPD050N10N5 has a pin count of 3 and functions as a N-channel power MOSFET transistor. It is designed for high-speed switching applications and offers a low ON resistance for efficient power management.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IPD050N10N5 is Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon Technologies AG specializes in the development and production of semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. The company is known for its high-quality, innovative products that help drive technological advancements in the market.
  • Application Field

    The IPD050N10N5 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, and battery management systems. It is suitable for applications requiring high efficiency, low power dissipation, and high current handling capabilities.
  • Package

    The IPD050N10N5 chip is a MOSFET transistor packaged in a TO-252 form with a standard 3-pin configuration. It has a size of 6.7mm x 6.7mm and a thickness of 3mm.

데이터 시트 PDF

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