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ON FDT457N

Name: FDT457N
Rating: 4.5 (6 reviews)

MOSFET SOT-223 N-CH 30V

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: FDT457N

데이터 시트: FDT457N Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-223

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3784 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDT457N 일반적인 설명

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.

특징

5 A, 30 V
R_DS(ON) = 0.06 Ω @ V_GS = 10 V
R_DS(ON) = 0.090 Ω @ V_GS = 4.5 V
High density cell design for extremely low R_DS(ON)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	FDT457N	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Manufacturer Package Code	318H-01	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Samacsys Manufacturer	onsemi
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.06 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G4	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	3 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	16 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Pin Count	4	Package Category	Other
Released Date	Oct 3, 2022

배송

	배송비	리드타임
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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDT457N chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that operates as a high-speed switching device. It is commonly used in applications where efficient power management is required, such as in motor control, LED lighting, and power supplies. The chip offers low on-resistance and low gate charge, making it suitable for high-current and high-frequency applications.
Features

The FDT457N is not a specific product or model that can be identified. It is likely a typo or an incorrect reference. Please provide more information or correct the model number to receive relevant features.
Pinout

The FDT457N is a N-channel MOSFET transistor with a TO-252 package. It has three pins including gate, drain, and source. The pin count is 3 and the function of each pin is as follows: 1. Gate: Controls the flow of current through the transistor 2. Drain: Current flows out of the transistor through this pin 3. Source: Current flows into the transistor through this pin.
Application Field

The FDT457N is commonly used in power electronics applications such as switch-mode power supplies, motor control systems, and industrial automation. It is specifically designed for high-current switching applications and provides efficient power management in various electronic devices.
Package

The FDT457N chip has a surface mount package type with a form factor of SOT-223. Its size is typically 6.70mm (length) x 6.70mm (width) x 2.30mm (height).