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$5000ON FDMS86255
N-Channel 150 V 10A (Ta), 45A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
FDMS86255 일반적인 설명
With its powerful performance and high-efficiency design, the FDMS86255 N-channel PowerTrench MOSFET stands out as a top choice for high-current switching applications. Boasting a low on-resistance of just 5.6 mOhm, this MOSFET is optimized for delivering exceptional performance in power management tasks. It can handle continuous drain currents of up to 60A and a maximum drain-source voltage of 30V, making it a versatile solution for a wide range of power management needs. Housed in the Power56 package, the FDMS86255 ensures excellent thermal performance and low thermal resistance, allowing for efficient heat dissipation and enhancing device reliability in high-power scenarios. Additionally, with a low gate charge of 66nC, this MOSFET is well-suited for high-speed switching applications. Its low threshold voltage of 1.9V further enables easy gate control and efficient operation within various power management circuits
특징
- Innovative Design for High Performance
- Advanced Silicon and Packaging Technology
- Robust Package for Durable Operation
- High Efficiency and Low RDS(on)
애플리케이션
- Perfect for everyday use
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | Power-56-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V | Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 113 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | PowerTrench Power Clip | Series: | FDMS86255 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 12 ns |
| Height: | 0.8 mm | Length: | 3.3 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 10 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 34 ns | Width: | 3.3 mm |
| Unit Weight: | 0.001993 oz | feature-category | Power MOSFET |
| feature-material | feature-process-technology | TrenchFET | |
| feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | N | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 150 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 4 | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 10 |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 12.4@10V | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 29@6V|45@10V |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | 45 | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 3200@75V |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 2700 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 8 | feature-supplier-package | QFN EP |
| feature-standard-package-name1 | QFN | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
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