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ON FDMS5672
ON Semiconductor FDMS5672 is an 8-Pin MLP N-Channel MOSFET capable of handling currents up to 10.6 A at voltages of 60 V
브랜드: Onsemi
제조업체부품 #: FDMS5672
데이터 시트: FDMS5672 Datasheet (PDF)
패키지/케이스: Power-56-8
RoHS 상태:
재고상태: 3032 PC, 새로운 원본
상품 유형: 트랜지스터
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $2.994 | $2.994 |
| 10 | $2.580 | $25.800 |
| 30 | $2.336 | $70.080 |
| 100 | $2.087 | $208.700 |
| 500 | $1.757 | $878.500 |
| 1000 | $1.706 | $1706.000 |
In Stock:3032 PCS
FDMS5672 일반적인 설명
UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.
특징
- Max rDS(on) = 11.5mΩ at VGS = 10V, ID = 10.6A
- Max rDS(on) = 16.5mΩ at VGS = 6V, ID = 8A
- Typ Qg = 32nC at VGS = 10 V
- Low Miller Charge
- Optimized efficiency at high frequencies
- RoHS Compliant
애플리케이션
- This product is general usage and suitable for many different applications.
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Power-56-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 11.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 45 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | UltraFET |
| Series | FDMS5672 | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 26 S | Height | 0.8 mm |
| Length | 6 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 17 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns | Width | 5 mm |
| Unit Weight | 0.008148 oz |
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부품 포인트
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The FDMS5672 chip is a power MOSFET transistor that is designed to efficiently handle high voltage and current levels in electronic devices. It offers low on-resistance, high current capability, and good thermal performance, making it suitable for various applications such as power management, motor control, and voltage regulation. This chip is widely used in the electronics industry to enhance the performance and efficiency of electronic devices.
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Features
The FDMS5672 is a power MOSFET with a low on-resistance of 4.1 mΩ, making it suitable for high power applications. It offers a compact design, low gate drive requirements, and reliable performance at high temperatures. The device also has low switching losses, excellent efficiency, and is capable of handling high currents. -
Pinout
The FDMS5672 is a 35-pin integrated circuit component. Its function is to serve as a power stage for high-frequency buck converters, providing efficient power management for various electronic devices. -
Application Field
The FDMS5672 is a power MOSFET designed for use in high-current switching applications such as motor controls, power supplies, and inverters. -
Package
The FDMS5672 chip comes in a PQFN (Power Quad Flat No-Lead) package. The form is compact and the size is typically small, measuring around 5 mm x 6 mm.
데이터 시트 PDF
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