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ON FDMS3669S

FDMS3669S - MOSFET featuring Asymmetric Dual N-Channel Power Trench technology for 30V applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FDMS3669S

데이터 시트: FDMS3669S Datasheet (PDF)

패키지/케이스: Power-56-8

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2769 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDMS3669S 일반적인 설명

This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

fdms3669s

특징

  • Q1: N-Channel
    Max rDS(on) = 10 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A
    Max rDS(on) = 14.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A
  • Q2: N-Channel
    Max rDS(on) = 5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A
    Max rDS(on) = 5.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A
  • Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
  • MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
  • RoHS Compliant

애플리케이션

  • Notebook PC

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case Power-56-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 60 A Rds On - Drain-Source Resistance 10 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Qg - Gate Charge 34 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Tradename Power Stage PowerTrench
Series FDMS3669S Brand onsemi / Fairchild
Configuration Dual Fall Time 3 ns
Forward Transconductance - Min 113 S Height 1.1 mm
Length 6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 3 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 24 ns Typical Turn-On Delay Time 9 ns
Width 5 mm

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부품 포인트

  • FDMS3669S is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic devices. It is known for its efficient power management and low on-resistance, allowing for high-performance operation while minimizing power loss. The chip is designed to improve the overall power efficiency of electronic systems, making it suitable for applications such as mobile devices, laptops, and various consumer electronics.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FDMS3669S chip include the AON6428, AON6418, and AON6403.
  • Features

    The FDMS3669S is a power MOSFET that has a maximum drain-source voltage rating of 30V and a maximum drain current rating of 80A. It features a low on-resistance, fast switching speed, and a compact surface-mount package. It is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems.
  • Pinout

    The FDMS3669S is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. Its pin count is 8, with 4 pins for each MOSFET: drain (D), source (S), gate (G), and body (B). This MOSFET is used for power management applications and provides low on-resistance and high power density.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDMS3669S is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in the design, development, and production of integrated circuits and power devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The FDMS3669S is a power stage module designed for DC-DC applications. Some application areas include power distribution systems, telecommunications, industrial equipment, automotive, and consumer electronics where high power density and efficiency are required. It is commonly used in power management systems for voltage regulation and conversion purposes.
  • Package

    The FDMS3669S chip is in a Power56 package type, with a form that is surface mount. Its size is 8.88mm x 7.06mm.

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