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ON FDMD8630 48HRS

High-Power MOSFET for High-Speed Applicatio

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: FDMD8630

데이터 시트: FDMD8630 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PQFN-8

RoHS 상태:

재고상태: 2,220 PC, 새로운 원본

상품 유형: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDMD8630 일반적인 설명

The FDMD8630 is a cutting-edge product that combines two N-Channel devices in a common-source configuration within a compact package. This smart design reduces package parasitics and enhances thermal efficiency by optimizing the thermal path to the common source pad located at the bottom of the package. As a result, the FDMD8630 offers a small footprint of just 5 x 6 mm, allowing for higher power density in a variety of applications

특징

  • Simplified PCB Layout with Integrated Current Sensing
  • Improved Reliability through Self-Tuning Algorithm
  • Reduced Heat Generation for Increased MTBF
  • Increased Flexibility in Secondary-Side Rectification
  • Enhanced Control over Output Power and Current

애플리케이션

  • Customized Power Solutions
  • Industry-Leading Innovation
  • Advanced Power Management

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer: ON Semiconductor Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: Power-56-8
Number of Channels: 2 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain Current: 167 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 1 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 142 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 43 W Configuration: Dual
Channel Mode: Enhancement Packaging: Reel
Brand: ON Semiconductor Forward Transconductance - Min: 281 S
Fall Time: 24 ns Product Type: MOSFET
Rise Time: 15 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 66 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns Unit Weight: 0.003455 oz
Tags FDMD86, FDMD, FDM

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