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ON FDMA910PZ

Name: FDMA910PZ
Brand: ON Semiconductor, LLC
Rating: 4.8 (6 reviews)

P-Channel 20 V 9.4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: FDMA910PZ

데이터 시트: FDMA910PZ Datasheet (PDF)

패키지/케이스: WDFN EP

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 2,552 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDMA910PZ 일반적인 설명

This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance and zener diode protection against ESD. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

특징

Max r_DS(on)= 20 mΩ at V_GS= -4.5 V, I_D = -9.4 A
Max r_DS(on) = 24 mΩ at V_GS = -2.5 V, I_D = -8.6 A
Max r_DS(on) = 34 mΩ at V_GS = -1.8 V, I_D= -7.2 A
Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm
HBM ESD protection level > 2.8k V typical (Note 3)
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS Compliant

애플리케이션

Mobile Handsets
Portable Navigation

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	MicroFET-6
Transistor Polarity:	P-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	20 V	Id - Continuous Drain Current:	9.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	20 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V	Qg - Gate Charge:	29 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	2.4 W	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	PowerTrench	Series:	FDMA910PZ
Packaging:	MouseReel	Brand:	onsemi / Fairchild
Configuration:	Single	Height:	0.75 mm
Length:	2 mm	Product Type:	MOSFET
Factory Pack Quantity:	3000	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 P-Channel	Width:	2 mm
Unit Weight:	0.001411 oz	feature-category	Power MOSFET
feature-material		feature-process-technology	TMOS
feature-configuration	Single Quad Drain	feature-channel-mode	Enhancement
feature-channel-type	P	feature-number-of-elements-per-chip	1
feature-maximum-drain-source-voltage-v	20	feature-maximum-gate-source-voltage-v	±8
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v	1.5	feature-maximum-continuous-drain-current-a	9.4
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm	[email protected]	feature-typical-gate-charge-vgs-nc	[email protected]
feature-typical-gate-charge-10v-nc		feature-typical-input-capacitance-vds-pf	2110@10V
feature-typical-output-capacitance-pf		feature-maximum-power-dissipation-mw	2400
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	6	feature-supplier-package	WDFN EP
feature-standard-package-name1	DFN	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection	Yes	feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	No
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDMA910PZ chip is a multi-chip module for cellular applications, offering high performance and reliability. It supports Frequency Division Multiple Access (FDMA) technology, allowing for efficient use of radio frequencies in cellular communication. With a compact design and low power consumption, the FDMA910PZ chip is ideal for integration into mobile devices.
Equivalent

The equivalent products of FDMA910PZ chip are FDMA912PZ, FDMA911PZ, and FDMA913PZ.
Features

1. High-power GaN (gallium nitride) technology improves efficiency and performance. 2. This device has a frequency range of 900-1000 MHz. 3. Provides high gain and high efficiency for applications such as base stations and repeaters. 4. Suitable for broadband communications and defense applications.
Pinout

The FDMA910PZ is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. It is typically used in power management applications where high efficiency and low on-resistance are required. This MOSFET can handle up to 30V of continuous drain current.
Manufacturer

The FDMA910PZ is manufactured by Renesas Electronics Corporation, a Japanese semiconductor company specializing in the design and manufacture of integrated circuits for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. It is one of the largest semiconductor companies in the world.
Application Field

The FDMA910PZ is commonly used in applications requiring high power handling and low distortion, such as power amplifiers for cellular base stations, repeaters, and other high power RF applications. It is also suitable for use in industrial, scientific, and medical (ISM) applications.
Package

The FDMA910PZ chip is in a single package type, which is a surface-mount Power-SO8 form. It has a size of 5x6 mm.