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ON FDG6317NZ

Name: FDG6317NZ
Rating: 4.5 (6 reviews)

High-performance 2N-Ch PowerTrench MOSFET rated at 20V and 0.7A

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FDG6317NZ

데이터 시트: FDG6317NZ Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-323-6

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3601 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDG6317NZ 일반적인 설명

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:0.7mA; On Resistance, Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.2V

특징

0.7A, 20V
R_DS(ON) = 400 mΩ @ V_GS = 4.5V
R_DS(ON) = 500 mΩ @ V_GS = 2.5V
ESD protection diode (note 3)
Low gate charge
High performance trench technology for extremelylow R_DS(ON)
Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-323-6	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	700 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV
Qg - Gate Charge	1.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	300 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDG6317NZ	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Dual	Fall Time	7 ns
Forward Transconductance - Min	1.8 S	Height	1.1 mm
Length	2 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	7 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	7.5 ns	Typical Turn-On Delay Time	5.5 ns
Width	1.25 mm	Part # Aliases	FDG6317NZ_NL
Unit Weight	0.000988 oz

배송

	배송비	리드타임
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDG6317NZ is a semiconductor chip used for power management in electronic devices. It features a low voltage drop and high current capability, making it suitable for various applications requiring efficient power management. It is designed to improve overall device performance and power efficiency while minimizing heat generation.
Equivalent

There are no direct equivalent products for the FDG6317NZ chip. However, some alternative options that can be considered are FDG6307NZ and FDG6335NZ, which have similar specifications and functionalities.
Pinout

The FDG6317NZ is a Dual P-Channel MOSFET with a pin count of 6. The pinout options and functions of the pins are as follows: Pin 1 is the Gate (G1) of the first MOSFET, Pin 2 is the Source (S1) of the first MOSFET, Pin 3 is the Drain (D1) of the first MOSFET, Pin 4 is the Drain (D2) of the second MOSFET, Pin 5 is the Source (S2) of the second MOSFET, and Pin 6 is the Gate (G2) of the second MOSFET.
Manufacturer

The FDG6317NZ is manufactured by LG Electronics, a multinational electronics company. LG Electronics is known for producing a wide range of products including televisions, smartphones, home appliances, and industrial equipment. It is headquartered in Seoul, South Korea, and is one of the leading consumer electronics manufacturers in the world.
Application Field

The FDG6317NZ is a high power N-channel MOSFET primarily designed for power applications such as switch mode power supplies, motor drives, and high voltage amplifiers.
Package

The FDG6317NZ chip has a SOT-23 package type. The form is Surface Mount Device (SMD). The size of the chip is small, measuring approximately 2.9mm x 1.3mm.