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ON FDG6316P

Name: FDG6316P
Rating: 4.5 (6 reviews)

Dual P-Channel MOSFET Array with 12V Voltage Rating and 0.7A Current Rating

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FDG6316P

데이터 시트: FDG6316P Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-323-6

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2492 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDG6316P 일반적인 설명

MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):221mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-600mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

특징

-0.7 A, -12 V
R_DS(ON) = 270 mΩ @ V_GS = -4.5 V
R_DS(ON) = 360 mΩ @ V_GS = -2.5 V
R_DS(ON) = 650 mΩ @ V_GS = -1.8 V
Low Gate Charge
High-Performance Trench Technology for Extremelylow R_DS(ON)
Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-323-6	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Id - Continuous Drain Current	700 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	2.4 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	300 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDG6316P	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Dual	Fall Time	13 ns
Forward Transconductance - Min	2.5 S	Height	1.1 mm
Length	2 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	13 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	8 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Width	1.25 mm	Part # Aliases	FDG6316P_NL
Unit Weight	0.000988 oz

배송

	배송비	리드타임
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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDG6316P chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and low gate charge, enabling efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, motor drives, and lighting applications.
Pinout

The FDG6316P is a P-channel power MOSFET with a pin count of 6. Its main function is to control the flow of current in a circuit as a switch or amplifier.
Application Field

The FDG6316P is a power MOSFET commonly used in various electronic applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for high-current switching operations due to its low on-resistance and fast switching characteristics.
Package

The package type of the FDG6316P chip is SOT-23. The chip has a form factor of surface mount with three leads. The size of the chip is approximately 2.9mm x 1.3mm.