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ON FDG6304P
Mosfet Array 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
제조업체부품 #: FDG6304P
데이터 시트: FDG6304P Datasheet (PDF)
패키지/케이스: SC-70-6
RoHS 상태:
재고상태: 3,401 PC, 새로운 원본
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 5 | $0.118 | $0.590 |
| 50 | $0.095 | $4.750 |
| 150 | $0.085 | $12.750 |
| 500 | $0.074 | $37.000 |
| 3000 | $0.067 | $201.000 |
| 6000 | $0.064 | $384.000 |
재고: 3,401 PCS
FDG6304P 일반적인 설명
Product FDG6304P is a cutting-edge innovation from Fairchild, featuring dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors. These transistors are manufactured using Fairchild's specialized DMOS technology, known for its high cell density and exceptional performance. The unique design of this device minimizes on-state resistance, making it ideal for low voltage applications. It serves as an excellent substitute for traditional bipolar digital transistors and small signal MOSFETS, offering improved efficiency and reliability
특징
- Fast shutdown time
- Low-voltage operation
- High-reliability data retention
- Compatibility with varied interfaces
애플리케이션
- A versatile product for numerous tasks.
- Suitable for various applications and uses.
- Perfect for multiple different uses.
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDG6304P | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | SC-70, 6 PIN | Manufacturer Package Code | 419B-02 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 39 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 25 V | Drain Current-Max (ID) | 0.41 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 1.1 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G6 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| feature-category | Small Signal | feature-material | |
| feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Dual |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
| feature-number-of-elements-per-chip | 2 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 25 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | 8 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 0.41 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | [email protected] |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected] | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 62@10V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 300 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 6 | |
| feature-supplier-package | SC-88 | feature-standard-package-name1 | SOT |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | Yes |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | No |
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