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ON FDG1024NZ

These MOSFETs offer efficient power handling capabilities with a compact SC-88-6 package design, making them ideal for space-constrained PCB layouts

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FDG1024NZ

데이터 시트: FDG1024NZ Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-323-6

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2388 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDG1024NZ 일반적인 설명

This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.

fdg1024nz

특징

  • Max rDS(on) = 175 mO at VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A
  • Max rDS(on) = 215 mO at VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A
  • Max rDS(on) = 270 mO at VGS = 1.8 V, ID = 0.9 A
  • Max rDS(on) = 389 mO at VGS = 1.5 V, ID = 0.8 A
  • HBM ESD protection level >2 kV (Note 3)
  • Very low level gate drive requirements allowing operation in 1.5 V circuits (VGS(th) < 1 V)
  • Very small package outline SC70-6
  • RoHS Compliant
fdg1024nz

애플리케이션

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-323-6 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 1.2 A Rds On - Drain-Source Resistance 321 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 400 mV
Qg - Gate Charge 2.6 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 360 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDG1024NZ Brand onsemi / Fairchild
Configuration Dual Forward Transconductance - Min 4 S
Height 1.1 mm Length 2 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Type Power Trench MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 11 ns Typical Turn-On Delay Time 3.7 ns
Width 1.25 mm

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부품 포인트

  • FDG1024NZ is a chip used for fingerprint recognition and authentication. It offers a high level of security and accuracy, making it suitable for various applications, including mobile devices, access control systems, and financial transactions. The chip utilizes advanced technology to capture and process fingerprint data, providing quick and reliable identification.
  • Features

    The FDG1024NZ is a compact, high-performance frequency synthesizer IC. It has a wide frequency range, low phase noise, and low power consumption. It supports both phase-locked loop (PLL) and direct digital synthesis (DDS) modes of operation. The IC also offers built-in frequency sweep and automatic power control features for enhanced functionality.
  • Pinout

    The FDG1024NZ is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Its functions include acting as a switch or amplifier for low voltage applications, offering low on-resistance, and supporting high current handling capabilities.
  • Application Field

    The FDG1024NZ is a field-effect transistor designed for use in high-frequency applications such as telecommunication systems, radar, and imaging devices. It can also be used in low-noise amplifiers, mixers, and oscillators. Its compact size and high gain make it suitable for various wireless communication and signal processing applications.
  • Package

    The FDG1024NZ chip is available in a small and compact surface mount package type known as FlipChip. Its size is typically 1.6mm x 1.6mm, making it suitable for applications that require a miniature footprint and high density.

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