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ON FDC645N

Name: FDC645N
Rating: 4.5 (4 reviews)

FDC645N, an N-channel MOSFET from ON Semiconductor, boasts a 5.5 A current capacity and a 30 V voltage rating, packaged in a 6-pin SSOT form factor

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FDC645N

데이터 시트: FDC645N Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SSOT-6

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3407 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDC645N 일반적인 설명

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.

특징

5.5 A, 30 V.
R_DS(on) = 30 mΩ @ V_GS = 4.5 V
R_DS(on) = 26 mΩ @ V_GS = 10 V
High performance trench technology for extremelylow R_DS(ON)
Low gate charge (13 nC typical)
High power and current handling capability

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SSOT-6	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	5.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	30 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Qg - Gate Charge	21 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC645N	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Single	Fall Time	9 ns
Forward Transconductance - Min	33 S	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	9 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	FDC645N_NL
Unit Weight	0.001270 oz

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단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDC645N chip is a power MOSFET specifically designed for load switching applications in portable devices and battery-powered systems. It offers low on-resistance, high current capability, and low gate charge. The chip provides efficient power management and helps enhance the overall performance and runtime of battery-powered devices.
Equivalent

The equivalent products of FDC645N chip are FDV303N, IRLML2502, IRF9910, SI2304, BSS847, BST847, AO4813A, and FDS4848.
Features

FDC645N is a small signal and low Vth N-channel MOSFET. It has a low on-resistance, making it suitable for high-frequency applications. It operates at a voltage range of -20V to 12V, and has a maximum continuous drain current of 2.4A. It is designed for low-power and low-voltage applications.
Pinout

The FDC645N is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. It is commonly used for power applications.
Manufacturer

The FDC645N is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is an American semiconductor company. It specializes in the design, development, and manufacturing of a wide range of electronic components and solutions for various industries.
Application Field

The FDC645N is a high-performance N-channel MOSFET transistor primarily used in power management applications. It can be applied in various areas such as DC-DC converters, motor control, electronic load switches, battery chargers, and other power management circuits requiring low RDS(ON) and fast switching.
Package

The FDC645N chip comes in a small, surface-mount package type called SOT-23, which has three pins. It measures approximately 3.0 mm x 1.3 mm x 0.95 mm (LxWxH).