이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

ON FDC637AN

Name: FDC637AN
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

브랜드: ON

제조업체부품 #: FDC637AN

데이터 시트: FDC637AN 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT23-6

RoHS 상태:

재고상태: 4250 PC, 새로운 원본

상품 유형: MOSFET

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량	단가	추가 가격
1	$0.153	$0.153
10	$0.124	$1.240
30	$0.112	$3.360
100	$0.096	$9.600
500	$0.089	$44.500
1000	$0.081	$81.000

In Stock:4250 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. FDC637AN 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

FDC637AN 일반적인 설명

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using an advanced PowerTrench^® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.

특징

6.2 A, 20 V
R_DS(on) = 0.024 Ω @ V_GS = 4.5 V
R_DS(on) = 0.032 Ω @ V_GS = 2.5 V
Fast switching speed.
Low gate charge (10.5nC typical).
High performance trench technology for extremelylow R_DS(ON).
SuperSOT™ -6 package: small footprint (72% smallerthan standard SO-8); low profile (1mm thick).

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SSOT-6	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	16 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC637AN	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Single	Fall Time	13 ns
Forward Transconductance - Min	7.4 S	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	13 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	FDC637AN_NL
Unit Weight	0.001270 oz

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDC637AN chip is a specially designed component for capacitive sensing applications. It offers high sensitivity and accuracy in detecting touch and proximity events. The chip utilizes advanced signal processing techniques to provide reliable touch detection in various environments. With low power consumption and compact size, it is suitable for integration into a wide range of devices, including smartphones, tablets, and home appliances.
Equivalent

The equivalent products of FDC637AN chip are FDC637BN, FDC637KN, FDC637MN, FDC637VN, and FDC637TN chips.
Features

The FDC637AN is a power management IC that features integrated drivers for controlling an external N-Channel MOSFET. It offers protection against overcurrent, overvoltage, undervoltage, and overtemperature conditions. It is designed for use in applications such as load switches, power supplies, and battery management systems, providing efficient and reliable power management capabilities.
Pinout

The FDC637AN is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate control, drain terminals, and source terminals for both channels. More specifically, Pin 1 is the gate control for Channel 1, and Pin 8 is the gate control for Channel 2.
Manufacturer

The FDC637AN is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is a globally recognized semiconductor company.
Application Field

The FDC637AN is a linear Hall effect sensor that can be used in various applications such as automotive systems (position sensing, throttle control), industrial automation (position sensing, motor control), and consumer electronics (smartphone compass, gaming controllers).
Package

The FDC637AN chip has a package type of DIP (Dual In-line Package), a form factor of through-hole, and a standard size as per DIP-8 specifications.