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ON FDB52N20TM

N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: FDB52N20TM

데이터 시트: FDB52N20TM Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2756 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDB52N20TM 일반적인 설명

UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

특징

  • RDS(on) = 49mΩ ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 26A
  • Low gate charge ( Typ. 49nC)
  • Low Crss ( Typ. 66pF)
  • 100% avalanche tested

애플리케이션

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수 매개변수
Source Content uid FDB52N20TM Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Package Description D2PAK-3/2 Manufacturer Package Code 418AJ
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 10 Weeks Samacsys Manufacturer onsemi
Avalanche Energy Rating (Eas) 2520 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (ID) 52 A Drain-source On Resistance-Max 0.049 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-263
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 245
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 357 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 208 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON feature-category Power MOSFET
feature-material feature-process-technology UniFET
feature-configuration Single feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-drain-source-voltage-v 200 feature-maximum-gate-source-voltage-v ±30
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v feature-maximum-continuous-drain-current-a 52
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 49@10V feature-typical-gate-charge-vgs-nc 49@10V
feature-typical-gate-charge-10v-nc 49 feature-typical-input-capacitance-vds-pf 2230@25V
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 357000
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package D2PAK
feature-standard-package-name1 TO-263 feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

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부품 포인트

  • The FDB52N20TM is a power MOSFET chip designed for various electronic applications. It has a high voltage rating of 200V and a continuous drain current of 52A, making it suitable for power switch devices. The chip features low on-resistance and fast switching capabilities, providing efficient power conversion. Its compact size and durability make it an ideal choice for automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the FDB52N20TM chip are the IRFP250N and the IRFB11N50A.
  • Features

    The features of FDB52N20TM include N-channel MOSFET technology, a drain-source voltage of 200V, a continuous drain current of 52A, a low on-state resistance of 36mΩ, and a fast switching speed. It is suitable for various applications, including power supplies, motor drives, and inverters.
  • Pinout

    The FDB52N20TM is a MOSFET transistor with a TO-263 package, consisting of 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It is commonly used in power electronic applications due to its high voltage and current handling capabilities.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDB52N20TM is Fairchild Semiconductor. It is an American company that specializes in the design, development, and manufacturing of power management solutions. It offers a wide range of products including discrete semiconductors, integrated circuits, and optoelectronics for various industries such as automotive, industrial, and telecommunication.
  • Application Field

    The FDB52N20TM transistor is commonly used in various applications such as motor control, power supplies, and audio amplifier circuits. Additionally, it is suitable for use in high-speed switching applications due to its low resistance and fast-switching capability.
  • Package

    The FDB52N20TM chip is available in TO-263 package type. It has a form of a flat, rectangular shape with three leads. The size dimensions of the package are typically around 10mm x 10mm x 2mm.

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