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ON FDB088N08

Name: FDB088N08
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-Channel 75 V 120A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: FDB088N08

데이터 시트: FDB088N08 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK

RoHS 상태:

재고상태: 3869 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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10	$1.444	$14.440
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FDB088N08 일반적인 설명

This N-Channel MOSFET is produced using a PowerTrench^® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

특징

R_DS(on) = 7.3mΩ ( Typ.)@ V_GS = 10V, I_D = 85A
Fast switching speed
Low Gate Charge
High performance trench technology for low R_DS(on)
High power and current handling capability
RoHS compliant

애플리케이션

AC-DC Merchant Power Supply
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	FDB088N08	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Package Description	D2PAK-3	Manufacturer Package Code	418AJ
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	45 Weeks	Samacsys Manufacturer	onsemi
Avalanche Energy Rating (Eas)	309 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	75 V
Drain Current-Max (ID)	85 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0088 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	245	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	160 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	340 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
feature-category	Power MOSFET	feature-material
feature-process-technology	TMOS	feature-configuration	Single
feature-channel-mode	Enhancement	feature-channel-type	N
feature-number-of-elements-per-chip	1	feature-maximum-drain-source-voltage-v	75
feature-maximum-gate-source-voltage-v	±20	feature-maximum-gate-threshold-voltage-v	4
feature-maximum-continuous-drain-current-a	120	feature-maximum-drain-source-resistance-mohm	8.8@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc	91@10V	feature-typical-gate-charge-10v-nc	91
feature-typical-input-capacitance-vds-pf	4960@25V	feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw	160000	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-supplier-package	D2PAK	feature-standard-package-name1	TO-263
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

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	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDB088N08 is a power MOSFET chip primarily used for switching applications. It has a maximum voltage rating of 80V and a continuous drain current of 80A. The chip features a low on-resistance and offers high efficiency and reliability. It is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications where high power switching is required.
Equivalent

Equivalent products of the FDB088N08 chip include the IPP088N08N3G, STI088N08M5, IPB088N08N5, IRF540NPBF, and IRF7749L1TRPBF.
Features

FDB088N08 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 80V, a continuous drain current rating of 80A, and a low on-resistance of 8.8mΩ. It is designed for applications where high power and efficiency are required, such as power supplies, motor control, and audio amplification.
Pinout

The FDB088N08 is a MOSFET transistor device. It has a pin count of 8, meaning it has 8 different pins for various connections. The specific function of each pin can be found in the datasheet provided by the manufacturer.
Manufacturer

The manufacturer of the FDB088N08 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design, development, and manufacturing of semiconductor devices.
Application Field

The FDB088N08 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications, including motor control, power supplies, DC-DC converters, and battery management systems. It is designed to handle high voltage and high current, making it suitable for applications that require efficient power switching and low on-resistance.
Package

The FDB088N08 chip has a TO-263 package type, with a through-hole mounting form. Its approximate size is 10mm x 8.7mm x 3.3mm.