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ON FDB070AN06A0

Name: FDB070AN06A0
Rating: 4.5 (5 reviews)

Power transistor, capable of handling high current

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FDB070AN06A0

데이터 시트: FDB070AN06A0 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK-3 (TO-263-3)

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2615 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDB070AN06A0 일반적인 설명

N-Channel PowerTrench^® MOSFET 60V, 80A, 7mΩ, The latest shielded gate PowerTrench^® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

특징

R_DS(on) = 6.1mΩ (Typ.) @ V_GS = 10V, I_D = 80A
Q_G(tot) = 51nC (Typ.) @ V_GS = 10V
Low Miller Charge
Low Q_rr Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

애플리케이션

AC-DC Merchant Power Supply
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
Other Data Processing
Other Industrial

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	80 A
Rds On - Drain-Source Resistance	6.1 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	66 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	175 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDB070AN06A0
Brand	onsemi / Fairchild	Configuration	Single
Fall Time	35 ns	Height	4.83 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	159 ns	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	27 ns
Typical Turn-On Delay Time	12 ns	Width	9.65 mm
Part # Aliases	FDB070AN06A0_NL

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	배송비	리드타임
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDB070AN06A0 chip, manufactured by Fairchild Semiconductor, is a power MOSFET transistor designed specifically for use in automotive applications. It features a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current capability of 70A. The chip also incorporates advanced trench technology, providing low on-state resistance and high switching performance.
Features

The FDB070AN06A0 is a power MOSFET module that features a low on-resistance of 7.4mΩ, allowing for efficient power management and reduced power dissipation. It also has a high current rating of 70A, making it suitable for a variety of applications requiring high power handling.
Pinout

The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. The functions of its three pins are typically Gate, Drain, and Source.
Manufacturer

The manufacturer of the FDB070AN06A0 is Infineon Technologies. It is a German multinational semiconductor company that specializes in the manufacturing and distribution of various semiconductor products, including power management ICs, microcontrollers, sensors, and automotive electronics, among others.
Application Field

The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor designed for use in high-speed, high-frequency applications such as switch-mode power supplies, motor control, and lighting controllers. It can also be used in audio amplifiers and other high-performance electronic devices due to its low on-resistance and high voltage capability.
Package

The FDB070AN06A0 chip is a power MOSFET device with a TO-263 package type, which is also known as D2PAK or I2PAK. It has a form of a rectangular plastic package with three leads and a size of approximately 10.3mm x 9.6mm x 4mm.