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Infineon BSC110N06NS3G

Name: BSC110N06NS3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: BSC110N06NS3G

데이터 시트: BSC110N06NS3G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SuperSO8

RoHS 상태:

재고상태: 2,933 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC110N06NS3G 일반적인 설명

N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	BSC110N06NS3G	Pbfree Code	Yes
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG	Package Description	TDSON-8
Pin Count	8	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Samacsys Manufacturer	Infineon
Avalanche Energy Rating (Eas)	22 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	12 A	Drain-source On Resistance-Max	0.011 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-N8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	50 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	200 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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단계2 :진공 포장
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부품 포인트

BSC110N06NS3G is a power MOSFET chip designed for high current applications. It offers low on-resistance and high switching efficiency, making it suitable for a wide range of voltage conversion and power management applications. With its compact size and advanced features, the BSC110N06NS3G chip provides excellent performance and reliability in various electronic devices.
Equivalent

Some equivalent products to the BSC110N06NS3G chip include the BSC108B12NS3G, BSP130P, BSC180N06NS3G, and BSC078N10NS3G chips.
Features

The BSC110N06NS3G is a power MOSFET with a voltage rating of 60V and a current rating of 110A. It has a low on-resistance of 6mΩ, allowing for efficient power conversion. The MOSFET also features low gate charge and low gate-source voltage, making it suitable for use in various applications such as motor control and power supplies.
Pinout

The BSC110N06NS3G is a power MOSFET and has a pin count of three. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the conduction between the Drain and Source pins, making it suitable for power switching applications.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSC110N06NS3G. It is a German semiconductor company that specializes in manufacturing and supplying components for power electronics, including industrial and automotive applications.
Application Field

The BSC110N06NS3G is a power MOSFET transistor typically used in power management applications such as switch mode power supplies, motor control, and automotive systems.
Package

The BSC110N06NS3G chip has a D²PAK package type, a single form, and a size of 10.4mm x 9.9mm x 4.6mm.