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APT50M50JVFR

Name: APT50M50JVFR
Rating: 4.5 (10 reviews)

High voltage switching component

브랜드: Microchip

제조업체부품 #: APT50M50JVFR

데이터 시트: APT50M50JVFR 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-227-4

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 6,305 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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APT50M50JVFR 일반적인 설명

The APT50M50JVFR is a high-power RF gallium-nitride (GaN) transistor designed for use in radar and communication applications. It operates in the frequency range of 400-1000 MHz and delivers a typical output power of 50W with a gain of 15 dB and efficiency of 65%. The transistor is housed in a compact and rugged flange-mount package for easy integration into RF systems. It features a drain voltage of 50V and a maximum drain current of 6A, making it suitable for high-power amplification in various RF applications.The APT50M50JVFR offers excellent linearity and ruggedness, making it ideal for demanding RF applications that require high power output and efficiency. Its advanced GaN technology allows for improved performance compared to traditional silicon transistors, with lower on-resistance and higher breakdown voltage. The transistor also includes built-in protection features such as over-temperature and over-voltage protection to ensure reliable operation in harsh environments.

특징

Sturdy frame for heavy-duty use
Tough and resistant to scratches
Fully assembled out of box
Adjustable handle for comfortable grip
Durable wheels for smooth ride
Padded base for added protection

애플리케이션

Advanced power technology
Efficient motor control
Medical device applications

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Type	Silicon Discrete MOSFET	Continuous Drain Current at 25°C (A) [max]	22 - 103
Package Type(s)	D3PAK, SOT-227, T-MAX, TO-247, TO-264

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부품 포인트

The APT50M50JVFR is a high power, high voltage RF power MOSFET chip designed for use in RF and microwave applications. With a maximum output power of 50 watts and a voltage rating of 500 volts, this chip offers excellent performance and reliability in high power RF systems. Its compact size and low thermal resistance make it ideal for use in a wide range of applications, including radar systems, communication equipment, and industrial heating systems.
Equivalent

The equivalent products of the APT50M50JVFR chip are Microsemi's APT50M50JRVFR, Infineon's FF450R17ME4, Toshiba's MG150M2YS1, and NXP's BFR96S. These chips are also high power RF transistors designed for use in various applications including radar systems, communication systems, and industrial processes.
Features

- 50A, 500V Schottky diode module - Low forward voltage drop for high efficiency - Compact and lightweight design - High surge capability and reliability - Encapsulated in a thermally conductive and electrically isolated package - Ideal for industrial and power electronics applications.
Pinout

The APT50M50JVFR is a power transistor module with a pin count of 7 pins. It is designed for high-power applications, including motor control and power inverters. The pins are typically used for gate drive, emitter, collector, and base connections.
Manufacturer

The manufacturer of APT50M50JVFR is Microsemi Corporation, which is a semiconductor company specializing in the design and manufacture of high-performance analog and mixed-signal integrated circuits. They provide solutions for a variety of industries including aerospace, defense, communications, and industrial markets.
Application Field

APT50M50JVFR can be used in various applications such as power supplies, motor control, lighting control, and inverters. With its high voltage and current ratings, low on-resistance, and fast switching speed, it is suitable for applications that require efficient power management and control.
Package

The APT50M50JVFR chip is a module package type with dimensions of 50mm x 50mm x 4.4mm. It is a surface mount form factor with a weight of 25 grams.