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APT28M120B2

Name: APT28M120B2
Rating: 4.5 (10 reviews)

Rated for 1200 volts and 29 amps

브랜드: Microchip Technology

제조업체부품 #: APT28M120B2

데이터 시트: APT28M120B2 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3Variant

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 5,941 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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APT28M120B2 일반적인 설명

The APT28M120B2 is a powerhouse in the world of RF transistors, offering unmatched performance and reliability for high-power applications. With a frequency range of 960-1215 MHz and the ability to deliver up to 120 watts of output power, this transistor is a go-to choice for demanding communication and radar systems. Its impressive gain of 15 dB and efficiency of 60% ensure that your RF amplification needs are met with precision and excellence

특징

Ratings: 20A, 30V
Package: TO-220F
Applications: Motor control, power supplies
Manufacturer: Fairchild
Type: Power transistor

애플리케이션

Advanced medical
Sustainable energy
Smart lighting

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	POWER MOS 8™	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560mOhm @ 14A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9670 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	1135W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	T-MAX™ [B2]	Package / Case	TO-247-3 Variant
Base Product Number	APT28M120

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The APT28M120B2 is a high-performance, low-power microcontroller chip designed for embedded applications. It features powerful processing capabilities, hardware security features, and a robust peripheral set, making it ideal for applications requiring secure and efficient data processing.
Equivalent

The equivalent products of APT28M120B2 chip are APT30M120B2, APT31M120B2, and APT32M120B2. These chips are all part of the same APT Series and offer similar features and performance characteristics.
Features

The APT28M120B2 is a power MOSFET module with features including a low on-resistance, high switching speed, low gate charge, and high ruggedness. It has a compact and high power density module design, making it suitable for a wide range of power electronic applications.
Pinout

The APT28M120B2 is a 28-pin power MOSFET module. It is used for switching and amplifying high-power and high-voltage applications in industries such as automotive and industrial. Its pins are used for connecting to the gate, drain, and source terminals of the MOSFET, as well as for other communication and control functions.
Manufacturer

The manufacturer of the APT28M120B2 is Advanced Power Technology (APT). APT is a semiconductor company that specializes in developing and manufacturing power MOSFETs, IGBTs, Schotkky diodes, and high-voltage rectifiers for a variety of applications including power supplies, motor drives, and automotive systems.
Application Field

The APT28M120B2 is a high power RF transistor commonly used in applications such as industrial heating, plasma generators, and high power radar systems. It is well-suited for high frequency and high power applications due to its robust design and excellent power handling capabilities.
Package

The APT28M120B2 chip is in a surface-mount package type called a DFN, with a form factor of 3x3mm. It is a dual N-channel Enhancement mode Power MOSFET.