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$5000STF12N65M2
Advanced N-channel MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
브랜드: STMicroelectronics
제조업체부품 #: STF12N65M2
데이터 시트: STF12N65M2 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-220FP-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
STF12N65M2 일반적인 설명
Designed for high efficiency converters, the STF12N65M2 Power MOSFET is a top-of-the-line solution that offers low on-resistance and optimized switching characteristics. With its MDmesh™ M2 technology and improved vertical structure, this device delivers reliable and consistent performance in the most demanding applications. Its strip layout further enhances its efficiency, making it an excellent choice for power management systems that require superior control and performance
특징
- Enhanced security features
- Advanced encryption algorithms
- Real-time monitoring capability
애플리케이션
SWITCHING명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220FP-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 16.7 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 25 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | MDmesh | Series: | STF12N65M2 |
Packaging: | Tube | Brand: | STMicroelectronics |
Configuration: | Single | Fall Time: | 13.5 ns |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 7 ns |
Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
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