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ST STD110N8F6

Name: STD110N8F6
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-Channel 80 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: STD110N8F6

데이터 시트: STD110N8F6 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: DPAK

RoHS 상태:

재고상태: 3,355 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

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10	$0.740	$7.400
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100	$0.577	$57.700
500	$0.538	$269.000
1000	$0.519	$519.000

재고: 3,355 PCS

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STD110N8F6 일반적인 설명

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.

특징

Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	STMicroelectronics	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Y	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	TO-252-3
Number of Channels:	1 Channel	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V	Id - Continuous Drain Current:	80 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	6.5 mOhms	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	20 V	Qg - Gate Charge:	150 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	167 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	STripFET
Packaging:	Reel	Height:	2.4 mm
Length:	10.1 mm	Product:	Power MOSFET
Series:	STD110N8F6	Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	STripFET	Width:	6.6 mm
Brand:	STMicroelectronics	Fall Time:	48 ns
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	61 ns
Factory Pack Quantity:	2500	Subcategory:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	162 ns	Typical Turn-On Delay Time:	24 ns
Unit Weight:	0.139332 oz	Tags	STD110N, STD110, STD11, STD1, STD
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-supplier-package	DPAK
feature-standard-package-name1	TO-252	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The STD110N8F6 chip is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications. It offers a low on-resistance and high power density, making it suitable for various power conversion systems. With a voltage rating of 80V and a current rating of 110A, this chip is commonly used in electronic devices that require efficient power management and control.
Equivalent

Some equivalent products of the STD110N8F6 chip are STD110N8F7, STD110N8F4, and STD110N8F5.
Features

The STD110N8F6 is a Power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 80 volts and a continuous drain current of 110 amperes. It offers a low on-resistance of 8.6 milliohms and is suitable for high-power applications such as motor control, SMPS, and DC-DC converters.
Pinout

The STD110N8F6 has a pin count of 8. It is a N-channel Power MOSFET transistor used for switching applications.
Manufacturer

The manufacturer of the STD110N8F6 is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor and electronics company.
Application Field

The STD110N8F6 is a power MOSFET primarily used in applications such as power supplies, motor control, and low voltage lighting. Its low on-resistance, high current rating, and excellent thermal performance make it suitable for various high power applications requiring efficient power switching and amplification.
Package

The STD110N8F6 chip belongs to the PowerFLAT 3.3x3.3-8 package type, which is a small, compact package. It has a size of 3.3 x 3.3 mm.